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rev 1.1.30 3/24/04
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referring 至 图示 20, vtrip 应用 至 这 “internal
vcc” node 这个 powers 这 全部 设备. 这个 意思
那 如果 vcc 是 powered 向下 和 这 电池 电压 在
vback 是 高等级的 比 这 vtrip 电压, 然后 这 全部
碎片 将 是 运动 从 这 电池. 如果 vback falls 至
更小的 比 vtrip, 然后 这 碎片 shuts 向下 和 所有 输出-
puts 是 无能 除了 为 这 振荡器 和 时间-
keeping 电路系统. 这 事实 那 这 碎片 能 是 powered
从 vback 是 不 必然地 一个 公布 自从 备用物品
电流 为 这 rtc 设备 是 <2µa 为 这个 模式
(called “main timekeeping current” 在 这 数据 薄板).
仅有的 当 这 串行 接口 是 起作用的 是 那里 一个
增加 在 供应 电流, 和 和 vcc powered
向下, 这 串行 接口 将 大多数 likely 是 inactive.
一个 方法 至 阻止 运作 在 电池 backup 模式
在之上 这 vtrip 水平的 是 至 增加 一个 二极管 漏出 (硅
二极管 preferred) 至 这 电池 至 insure 它 是 在下
vtrip. 这个 将 也 提供 反转 泄漏 保护
这个 将 是 需要 至 得到 安全 agency 承认.
一个 模式 那 应当 总是 是 避免 是 这 opera-
tion 的 这 rtc 设备 和 vback 更好 比 两个都
vcc 和 vtrip (情况 2d 在 表格 9). 这个 将 导致
这 电池 至 流 quickly 作 串行 总线 communica-
tion 和 非-易变的 写 将 需要 高等级的 供应者
电流.
效能 数据
I
后面的
效能
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
后面的
vs. 温度
multi-lot 处理 变化 数据
温度 °c
-40 25 60 85
I
后面的
(µa)
3.3v
1.8v
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