flash 记忆
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K9F2G08U0A
K9F2G08R0A
文档 标题
256m x 8 位 与非 flash 记忆
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsungelectronics. samsung electronicsco., 有限公司. 保留 这 正确的
至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 yourrequests 和 questions 关于 设备. 如果 你 have
任何 questions, 请 联系这 samsung branch 办公室 near your 办公室.
修订 非
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
1.0
Remark
进步
进步
初步的
初步的
初步的
最终
History
1. 最初的 公布
1. 1.8v 部分 是 增加.
2. trhw, tcsd 参数 是 定义.
3. 4g ddp lga 部分 是 deleted.
4. 技术的 便条 是 增加.(p.18)
1.
fbga 包装 大小 是 changed
2. 1.8v tsop 是 deleted
1. 1.8v ioh/iol 情况 是 changed
2. 最小值 tadl @ 3.3v 是 changed 表格 70ns 至 100ns
1. 1.8v 设备 支持 copy-后面的 程序
draft 日期
十一月 09. 2005
三月. 17th. 06
将 25th 2006
六月 1st 2006
六月 29th 2006
8月 23th 2006
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