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资料编号:1132780
 
资料名称:FB10R06KL4G
 
文件大小: 191.99K
   
说明
 
介绍:
IGBT Module
 
 


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technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
fb10r06kl4 g
Vorläufig
初步的
modul 分开/ 单元 分开
isolations-prüfspannung
绝缘 测试 电压
rms, f = 50 hz, t = 1 最小值
ntc 连接 至 baseplate
V
ISOL
2,5 kV
elektrische eigenschaften / 电的 properties
charakteristische werte / 典型的 值
二极管 gleichrichter/ 二极管 整流器
最小值 典型值 最大值
Durchlaßspannung
向前 电压
T
vj
= 150°c, i
F
=
10 一个
V
F
- 0,9 - V
Schleusenspannung
门槛 电压
T
vj
= 150°c V
(至)
- 0,67 - V
Ersatzwiderstand
斜度 阻抗
T
vj
= 150°c r
T
-21-m
Sperrstrom
反转 电流
T
vj
= 150°c, v
R
=
800 v
I
R
-5-毫安
modul leitungswiderstand, anschlüsse-碎片
含铅的 阻抗, terminals-碎片
T
C
= 25°c R
aa'+cc'
- 9 - m
晶体管 wechselrichter/ 晶体管 反相器
最小值 典型值 最大值
kollektor-发射级 sättigungsspannung
V
GE
= 15v, t
vj
= 25°c, i
C
=
10 一个
V
ce sat
- 1,95 2,55 V
集电级-发射级 饱和 电压
V
GE
= 15v, t
vj
= 125°c, i
C
=
10 一个 - 2,2 - V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
V
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°c, i
C
=
0,35ma
V
ge(至)
4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz, t
vj
= 25°c
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v
C
ies
- 0,8 - nF
kollektor-发射级 reststrom
集电级-发射级 截-止 电流
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
=20v, t
vj
=25°C I
GES
- - 400 nA
einschaltverzögerungszeit (ind. last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
300 v
转变 在 延迟 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
82 ohm
t
d,在
-32-ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
82 ohm - 30 - ns
anstiegszeit (induktive last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
300 v
上升 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
82 ohm
t
r
-26-ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
82 ohm - 28 - ns
abschaltverzögerungszeit (ind. last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
300 v
转变 止 延迟 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
82 ohm
t
d,止
- 234 - ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
82 ohm - 230 - ns
fallzeit (induktive last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
300 v
下降 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
82 ohm
t
f
-10-ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
82 ohm - 30 - ns
einschaltverlustenergie pro puls
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
300 v
转变-在 活力 丧失 每 脉冲波
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
82 ohm
E
- 0,36 - mWs
L
S
=
80 nh
abschaltverlustenergie pro puls
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
300 v
转变-止 活力 丧失 每 脉冲波
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
82 ohm
E
- 0,44 - mWs
L
S
=
80 nh
Kurzschlußverhalten
t
P
10µs, v
GE
15v,R
G
=
82 ohm
sc 数据
T
vj
125°c, V
CC
=
360 v
I
SC
-40- 一个
-毫安
I
CES
- 5,0
V
GE
= 0v, t
vj
=125°c, v
CE
=
600V
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