mc68hc908qy4sm/d
MC68HC908QY4
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MC68HC908QT4
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MC68HC908QY2
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MC68HC908QT2
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MC68HC908QY1
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MC68HC908QT1
10 MOTOROLA
flash 单元
这 flash 记忆 组成 的 一个 排列 的 4096 或者 1536 字节 和 一个
额外的 80 字节 为 用户 vectors 和 miscellaneous. 这 最小 大小 的
flash 记忆 那 能 是 erased 是 64 字节; 和 这 最大 大小 的
flash 记忆 那 能 是 编写程序 在 一个 程序 循环 是 32 字节 (一个
行). 程序 和 擦掉 行动 是 facilitated 通过 控制 位 在 这
flash 控制 寄存器 (flcr). 详细信息 为 这些 行动 呈现 后来的 在 这个
部分. 这 地址 范围 为 这 用户 记忆 和 vectors 是:
•
$EE00
–
$fdff; 用户 记忆, 4096 字节: mc68hc908qy4 和
MC68HC908QT4
•
$F800
–
$fdff; 用户 记忆, 1536 字节: mc68hc908qy2,
mc68hc908qt2, mc68hc908qy1 和 mc68hc908qt1
•
$FFB0
–
$ffff; 用户 中断 vectors 等., 80 字节.
便条:
一个 erased 位 读 作 逻辑 1 和 一个 编写程序 位 读 作 逻辑 0.
一个 安全 特性 阻止 unauthorized 察看 的 这 flash 内容.
flash 控制
寄存器
这 flash 控制 寄存器 (flcr) 控制 flash 程序 和 擦掉
行动.
HVEN
—
高 电压 使能 位
1 = 高 电压 使能 至 排列 和 承担 打气 在
MASS
—
mass 擦掉 控制 位
1 = mass 擦掉 运作 选择
擦掉
—
擦掉 控制 位
1 = 擦掉 运作 选择
PGM
—
程序 控制 位
1 = 程序 运作 选择
flash 页 擦掉
运作
使用 这 下列的 程序 至 擦掉 一个 页 的 flash 记忆. 一个 页
组成 的 64 consecutive 字节 开始 从 地址 $xx00, $xx40,
$xx80, 或者 $xxc0. 这 80-字节 用户 中断 vectors 范围 包含 二 页
($ffb0
–
$ffbf 和 $ffc0
–
$ffff). 任何 flash 记忆 页 能 是 erased
alone.
1. 设置 这 擦掉 位 和 clear 这 mass 位 在 这 flash 控制 寄存器.
2. 读 这 flash 块 保护 寄存器 ($ffbe).
$fe08bit 7654321bit 0
0 0 0 0 HVEN MASS 擦掉 PGM
重置:00000000
图示 5. flash 控制 寄存器 (flcr)
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