mc68hc908qy4sm/d
flash 单元
MC68HC908QY4
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MC68HC908QT4
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MC68HC908QY2
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MC68HC908QT2
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MC68HC908QY1
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MC68HC908QT1
MOTOROLA 11
3. 写 任何 数据 至 任何 flash location 在里面 这 地址 范围 的 这
块 至 是 erased.
4. wait 为 一个 时间, t
nvs
(最小10
µ
s).
5. 设置 这 hven 位.
6. wait 为 一个 时间, t
擦掉
(最小 1 ms 或者 4 ms).
7. clear 这 擦掉 和 mass 位.
8. wait 为 一个 时间, t
nvh
(最小5
µ
s).
9. clear 这 hven 位.
10. 之后 时间, t
rcv
(typical1
µ
s),
这 记忆 能 是 accessed 在 读 模式
又一次.
便条:
程序编制 和 erasing 的 flash locations 不能 是 执行 用 代号
正在 executed 从 这 flash 记忆. 这些 行动 必须 是 执行
在 这 顺序 作 显示, 但是 其它 unrelated 行动 将 出现 在 这
步伐.
在 产品 那 需要 向上 至 10,000 程序/擦掉 循环, 使用 这 4 ms
页 擦掉 规格 至 得到 改进 长-期 可靠性. 任何 应用
能 使用 这个 4 ms 页 擦掉 规格. 不管怎样, 在 产品 在哪里 一个
flash location 将 是 erased 和 reprogrammed 较少 比 1000 时间, 和
速 是 重要的, 使用 这 1 ms 页 擦掉 规格 至 得到 一个 更小的
最小 擦掉 时间.
flash 程序
运作
程序编制 的 这 flash 记忆 是 完毕 在 一个 行 基准. 一个 行 组成 的
32 consecutive 字节 开始 从 地址 $xx00, $xx20, $xx40, $xx60,
$xx80, $xxa0, $xxc0, 或者 $xxe0. 使用 这 下列的 step-by-step 程序
至 程序 一个 行 的 flash 记忆.
便条:
仅有的 字节 这个 是 目前 $ff 将 是 编写程序.
1. 设置 这 pgm 位. 这个 configures 这 记忆 为 程序 运作 和
使能 这 闭锁 的 地址 和 数据 为 程序编制.
2. 读 从 这 flash 块 保护 寄存器 ($ffbe).
3. 写 任何 数据 至 任何 flash location 在里面 这 地址 范围 desired.
4. wait 为 一个 时间, t
nvs
(最小10
µ
s).
5. 设置 这 hven 位.
6. wait 为 一个 时间, t
pgs
(最小5
µ
s).
7. 写 数据 至 这 flash 地址 正在 编写程序
(1)
.
8. wait 为 时间, t
PROG
(最小30
µ
s).
9. repeat 步伐 6 和 7 直到 desired 字节 在里面 这 行 是 编写程序.
10. clear 这 pgm 位
(1)
.
1. 这 时间 在 各自 flash 地址 改变, 或者 这 时间 在 这 last flash 地址
编写程序 至 clearing pgm 位, 必须 不 超过 这 最大 程序编制 时间, t
PROG
最大.
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