硅 planar 齐纳 二极管 1cz 4.7 至 47v
d0 - 41 1.0w
硅 齐纳 二极管-1watt 在 d0-41 package icz 序列 为 entertainment 应用.
绝对 最大 比率
描述 标识 值 单位
电源 消耗 @ ta=25
PD 1.0 W
运行 &放大; 存储 juncti
o
tj,tstg -60 至 +200 deg c
温度 范围
电的 特性 (ta=25 deg c 除非 否则 指定 ,
设备 # vzt @ rzt @ IZT ir @ VR 典型值
IZT IZT VR 温度
(最大值) coeff 的
齐纳 电压 *vz
(v) (ohms) (毫安) (ua) (v) (%/ deg c)
1cz 4.7
4.4 - 5.0 32 20 12 1.0 - 0.02
1cz 5.1
4.8 - 5.4 20 20 10 1.0 - 0.01
1cz 5.6
5.2 - 6.0 15 20 10 2.0 + 0.008
1cz 6.2
5.8 - 6.6 10 20 10 3.0 + 0.025
1cz 6.8
6.4 - 7.2 8.0 20 10 4.0 + 0.035
1cz 7.5
7.0 - 7.9 8.0 10 10 5.0 + 0.045
1cz 8.2
7.7 - 8.7 8.0 10 10 6.0 + 0.055
1cz 9.1
8.5 - 9.6 10 10 10 7.0 + 0.06
1cz 10
9.4 - 10.6 15 10 10 8.0 + 0.08
1cz 11
10.4 - 11.6 20 10 10 8.5 + 0.065
1cz 12
11.4 - 12.7 20 10 10 9.0 + 0.07
1cz 13
12.4 - 14.1 25 5.0 10 10.0 + 0.075
1cz 15
13.8 - 15.6 30 5.0 10 11.0 + 0.08
1cz 16
15.3 - 17.1 40 5.0 10 12.0 + 0.085
1cz 18
16.8 - 19.1 50 5.0 10 13.5 + 0.09
1cz 20
18.8 - 21.2 55 5.0 10 15.0 + 0.1
1cz 22
20.8 - 23.3 58 5.0 10 16.0 -
1cz 24
22.8 - 25.6 80 5.0 10 18.0 -
1cz 27
25.1 - 28.9 80 5.0 10 20.0 -
1cz 30
28.0 - 32.0 100 5.0 10 22.0 -
1cz 33
31.0 - 35.0 100 5.0 10 24.0 -
1cz 36
34.0 - 38.0 150 5.0 10 27.0 -
1cz 39
37.0 - 41.0 200 5.0 10 30.0 -
1cz 43
40.0 - 46.0 250 5.0 10 33.0 -
1cz 47
44.0 - 50.0 300 5.0 10 36.0 -
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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continental 设备 印度 限制
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