1N60P_集成电路资料查询网

FMS
1n60/1n60p
formosa microsemi co., 有限公司.
www.formosams.com rev. 2, 22-十一月-2002
  1/2
肖特基 屏障 二极管
特性
1. 高 可靠性
2. 低 反转 电流 和 低 向前 电压
产品
低 电流 整流 和 高 速 切换
构建
硅 外延的 planar
绝对 最大 比率
T
j
=25 
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
1n60 v
RRM
40 vrepetitive 顶峰 反转 电压 
1n60p v
RRM
45 V
1n60 i
FSM
150毫安顶峰 向前 surge 电流
t
p
1 s
1n60p i
FSM
500毫安
1n60 i
F
30 毫安向前 持续的 电流
T
一个
=25 
1n60p i
F
50 毫安
存储 温度 范围   T
stg
-65~+125
最大 热的 阻抗
T
j
=25 
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的
在 pc 板 50mm 50mm 1.6mm
R
thJA
250 k/w

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FMS 1n60/1n60p formosa microsemi co., 有限公司. www.formosams.com rev. 2, 22-十一月-2002 1/2 肖特基屏障二极管特性 1. 高可靠性 2. 低反转电流和低向前电压产品低电流整流和高速切换构建硅外延的 planar 绝对最大比率 T j =25 参数测试情况类型标识值单位 1n60 v RRM 40 vrepetitive 顶峰反转电压 1n60p v RRM 45 V 1n60 i FSM 150毫安顶峰向前 surge 电流 t p 1 s 1n60p i FSM 500毫安 1n60 i F 30 毫安向前持续的电流 T 一个 =25 1n60p i F 50 毫安存储温度范围 T stg -65~+125 最大热的阻抗 T j =25 参数测试情况标识值单位接合面包围的在 pc 板 50mm 50mm 1.6mm R thJA 250 k/w

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