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资料编号:1133128
 
资料名称:1N60P
 
文件大小: 81K
   
说明
 
介绍:
Schottky Barrier Diode
 
 


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  浏览型号1N60P的Datasheet PDF文件第1页
1

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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FMS
1n60/1n60p
formosa microsemi co., 有限公司.
www.formosams.com rev. 2, 22-十一月-2002
2/2
电的 特性
T
j
=25
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
1n60 v
F
0.32 0.5 VI
F
=1mA
1n60p v
F
0.24 0.5 V
I
F
=30ma 1n60 v
F
0.65 1.0 V
向前 电压
I
F
=200ma 1n60p v
F
0.65 1.0 V
1n60 i
R
0.1 0.5
一个
反转 电流 V
R
=15V
1n60p i
R
0.5 1.0
一个
V
R
=1v, f=1mhz 1N60 C
J
2.0pF接合面 电容
V
R
=10v, f=1mhz 1N60P C
J
6.0 pf
反转 恢复 时间 I
F
=I
R
=1ma i
rr
=1ma r
C
=100
t
rr
1.0 ns
维度 在 mm
标准 glass 情况
电子元件工业联合会 做 35
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