flash 记忆
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初步的
K9G8G08U0M
K9LAG08U1M
与非 flash 技术的 注释
(持续)
程序 流动 chart
开始
i/o 6 = 1 ?
i/o 0 = 0 ?
非
*
写 80h
写 地址
写 数据
写 10h
读 状态 寄存器
程序 完成
或者 r/b = 1 ?
程序 错误
Yes
非
Yes
错误 在 写 或者 读 运作
在里面 它的 生命 时间, 额外的 invalid blocks 将 开发 和 与非 flash 记忆. 谈及 至 这 资格 report 为 这 一个ctual
数据. 块 替换 应当 是 完毕 在之上 擦掉 或者 程序 错误.
失败 模式 发现 和 countermeasure sequence
写
擦掉 失败 状态 读之后 擦掉 --> 块 替换
程序 失败 状态 读 之后 程序 --> 块 替换
读 向上 至 四 位 failure 核实 ecc -> ecc 纠正
ECC
: 错误 correcting 代号 --> rs 代号 等
例子) 4bit 纠正 / 512-字节
: 如果 程序 运作 结果 在 一个 错误, 编排 输出
这 块 包含 这 页 在 错误 和 copy 这
*
目标 数据 至 另一 块.
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