能 eliminate 这 修整 pot 和 virtually eliminate 转型
扭曲量. 这 v
CE
电压 的 q
MULT
(也 called 偏差 的 这
输出 平台) 能 是 设置 用 下列的 formula:
V
偏差
= v
是
(1+r
B2
/r
B1
) (v) (7)
当 使用 一个 双极 输出 平台 和 这 lme49810 (作 在
图示 1), 这 设计者 必须 beware 的 热的 runaway.
热的 runaway 是 一个 结果 的 这 温度 dependence
的 v
是
(一个 固有的 所有物 的 这 晶体管). 作 温度
增加, v
是
减少. 在 实践, 电流 流 通过
一个 双极 晶体管 heats 向上 这 晶体管, 这个 lowers 这
V
是
. 这个 在 转变 增加 这 电流 增益, 和 这 循环 re-
peats. 如果 这 系统 是 不 设计 合适的 这个 积极的
反馈 mechanism 能 destroy 这 双极 晶体管 使用
在 这 输出 平台. 一个 的 这 推荐 方法 的
阻止 热的 runaway 是 至 使用 这 一样 热温 下沉 在
这 双极 输出 平台 晶体管 一起 和 v
是
乘法器
晶体管. 当 这 v
是
乘法器 晶体管 是 挂载 至 这
一样 热温 下沉 作 这 双极 输出 平台 晶体管, 它 tem-
perature 将 追踪 那 的 这 输出 晶体管. 它的 v
是
是
依赖 在之上 温度 作 好, 和 所以 它 将 绘制 更多
电流 作 这 输出 晶体管 热温 向上, 减少 这 偏差
电压 至 compensate. 这个 将 限制 这 根基 电流 在 这
输出 晶体管, 这个 counteracts 热的 runaway. 一个-
其它 widely popular 方法 的 阻止 热的 runaway
是 至 使用 低 值 发射级 degeneration 电阻器 (r
E1
和
R
E2
). 作 电流 增加, 这 电压 在 这 发射级 也 在-
creases, 这个 减少 这 电压 横过 这 根基 和
发射级. 这个 mechanism helps 至 限制 这 电流 和 coun-
teracts 热的 runaway.
布局 仔细考虑 和 avoiding 地面
循环
一个 恰当的 布局 是 virtually essential 为 一个 高 效能
音频的 放大器. 它 是 非常 重要的 至 返回 这 加载 地面,
供应 grounds 的 输出 晶体管, 和 这 低 水平的 (喂养-
后面的 和 输入) grounds 至 这 电路 板 一般 地面
要点 通过 独立的 paths. 当 地面 是 routed 在 这个
fashion, 它 是 called 一个 星 地面 或者 一个 单独的 要点 地面. 它
是 明智 至 保持 这 供应 解耦 电容 的
0.1
μ
f 关闭 作 可能 至 lme49810 至 减少 这 影响 的
pcb 查出 阻抗 和 电感. 下列的 这 一般
rules 将 优化 这 pcb 布局 和 避免 地面 循环
问题:
一个) 制造 使用 的 对称的 placement 的 组件.
b) 制造 高 电流 查出, 此类 作 输出 path 查出, 作
宽 作 可能 至 accomodate 输出 平台 电流 需要-
ment.
c) 至 减少 这 pcb 查出 阻抗 和 电感, 一样
地面 returns paths 应当 是 作 短的 作 可能. 如果 pos-
sible, 制造 这 输出 查出 短的 和 equal 在 长度.
d) 至 减少 这 pcb 查出 阻抗 和 电感,
地面 returns paths 应当 是 作 短的 作 可能.
e) 如果 可能, 星 地面 或者 一个 单独的 要点 地面 应当 是
observed. 先进的 planning 在之前 开始 这 pcb 能
改进 音频的 效能.
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LME49810
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