a45l9332a 序列
初步的 (october, 2001, 版本 0.1) 11
amic 技术, 公司
simplified 真实 表格
4. a10 : bank 选择 地址.
如果 “low” 在 read, (块) 写, 行 起作用的 和 precharge, bank 一个 是 selected.
如果 “high” 在 读, (块) 写, 行 起作用的 和 precharge, bank b 是 selected.
如果 a9 是 “high” 在 行 precharge, a10 是 ignored 和 两个都 banks 是 选择.
5. 它 是 决定 在 行 active 循环.
whether 正常的/块 写 运作 在 写 每 位 模式 或者 不.
为 一个 bank 写, 在 一个 bank 行 起作用的, 为 b bank 写, 在 b bank 行 起作用的.
terminology :写 每 位 = i/o 掩饰
(块) 写 和 写 每 位 模式 = masked (块 ) 写
6. 在 burst 读 或者 写 和 自动 precharge, 新 读/ (块) 写 command 不能 是 issued.
另一 bank 读/(块) 写 command 能 是 issued 在 t
PR
之后 这 终止 的 burst.
7. burst 停止 command 是 有效的 仅有的 t 全部 页 burst 长度.
8. dqm sampled 在 积极的 going 边缘 的 一个 clk masks 这 数据-在 在 这 非常 clk (写 dqm latency 是 0),
但是 制造 这 数据-输出 hi-z 状态 之后 2 clk 循环. (读 dqm latency 是 2)
9. graphic 特性 增加 至 sdram’s 原来的 特性.
如果 dsf 是 系 至 低,graphic 功能 是 无能 和 碎片 运作 作 一个 16m sdram 和 32 dq’s.
sgram vs sdram
函数 MRS bank 起作用的 写
DSF L H L H L H
SGRAM
函数
MRS SMRS
bank 起作用的
和
写 每 位
使不能运转
bank 起作用的
和
写 每 位
使能
正常的
Write
块
写
如果 dsf 是 低, sgram 符合实际 是 完全同样的 至 sdram 符合实际.
sgram 能 是 使用 作 一个 unified 记忆 用 这 适合的 dsf 控制
→
sdram = graphic 记忆 + 主要的 记忆
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