绝对 最大 比率
参数 标识 情况
持续的 电压 在 输入 至
V
SS
V
输入
-0.3 至 +30 V
过往旅客 在 输入 为
t< 100 ms 和 职责 循环 1% V
TRANS
向上 至 +60 V
反转 供应 电压 在 输入 V
REV
-20 V
最大值 电压 在 任何 信号 管脚 V
最大值
output+0.3v
最小值 电压 在 任何 信号 管脚 V
最小值
V
SS
-0.3v
存储 温度 T
STO
-65 至 +150°C
静电的 释放 最大值 至
mil-标准-883c 方法 3015 V
Smax
1000V
最大值 焊接 情况 T
Smax
250°C x 10 s
表格 1
压力 在之上 这些 列表 最大 比率 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 暴露 在之外
指定 运行 情况 将 影响 设备 reliabil
-
ity 或者 导致 运转.
处理 程序
这个 设备 有 建造-在 保护 相反 高 静态的 volt
-
ages 或者 electric 地方; 不管怎样, 反对-静态的 预防措施
必须 是 带去 作 为 任何 其它 CMOS 组件. 除非
否则 指定, 恰当的 运作 能 仅有的 出现
当 所有 终端 电压 是 保持 在里面 这 供应 volt-
age 范围. 在 任何 时间, 所有 输入 必须 是 系 至 一个 de-
fined 逻辑 电压 水平的.
运行 情况
参数 标识 最小值 最大值 单位
运行 接合面
温度
1)
T
J
-40 +85 °C
输入 电压
2)
V
输入
2.3 26 V
输出 电压
2) 3)
V
输出
1.2 V
RES
&放大;en有保证的
4)
V
输出
1.2 V
输出 电流
5)
I
输出
100 毫安
比较器 输入 电压 V
在
0V
输出
V
rc-振荡器 程序编制 R 10 1000 k
热的 阻抗 从
接合面 至 包围的
6)
- DIP8 R
th(j-一个)
105 °c/w
- SO8 R
th(j-一个)
160 °c/w
表格 2
1)
这 最大 运行 温度 是 confirmed 用
抽样 在 最初的 设备 资格. 在 生产, 所有
设备 是 测试 在 +85°c.
2)
全部 运作 有保证的. 至 达到 这 加载 规章制度
指定 在 Table3a22µF电容 或者 更好 是 必需的
在 这 输入, 看 图. 8. 这 22 µF 必须 有 一个 有效的
阻抗
5
和 一个 resonant 频率 在之上 500 khz.
3)
一个 10 µF 加载 电容 和 一个 100 nF 解耦 电容
是 必需的 在 这 调整器 输出 为 稳固. 这 10 µF
必须 有 一个 有效的 序列 阻抗 的
5
和 一个
resonant 频率 在之上 500 khz.
4)
RES 必须 是 牵引的 向上 externally 至 V
输出
甚至 如果 它 是
unused. (便条: RES
和 EN 是 使用 作 输入 用 EM 测试.)
5)
这 输出 电流 将 不 应用 为 所有 可能
结合体 的 输入 电压 和 输出 电流.
结合体 那 将 需要 这 A6130 至 工作 在之上
这 最大 接合面 温度 (+85°c) 必须 是
避免.
6)
这 热的 阻抗 指定 假设 这 包装 是
焊接 至 一个 pcb.
2
A6130
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