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资料编号:116866
 
资料名称:A615308V-12
 
文件大小: 199.68K
   
说明
 
介绍:
32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
a615308 序列
初步的(January, 20017
amic 技术, 公司
定时 波形 (持续)
Write 循环 1
(6)
(写 使能 控制)
t
WC
地址
D
t
OW
7
t
DH
t
DW
t
WHZ
7
t
WP
2
t
1
(4)
t
CW
5
t
AW
t
WR
3
D
输出
我们
CE
写 循环 2
(碎片 使能 控制)
t
WC
地址
D
t
DW
t
WHZ
7
t
AW
t
WR
3
D
输出
t
DH
(4)
t
WP
2
t
CW
5
t
1
CE
我们
注释:1. t
是 量过的 从 这 地址 有效的 至 这 beginning 的 写.
2. 一个 写 occurs 在 这 overlap (t
WP
) 的 一个 低 CE 和 一个 低 我们 .
3. t
WR
是 量过的 从 这 earliest 的 CE 或者 我们 going 高 至 这 终止 的 这 写 循环
4. 如果 这 CE 低 transition occurs 同时发生地 和 这 我们 低 转变 或者 之后 这 我们 转变, 输出
仍然是 在 一个 高 阻抗 状态.
5. t
CW
是 量过的 从 这 后来的 的 CE going 低 至 这 终止 的 write.
6. OE 是 continuously 低. ( OE = v
IL
)
7. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态. 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
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