©2001 硅 存储 技术, 公司
s71107-03-000 5/01 349
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这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
combomemory 是 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
数据 薄板
特性:
• 大而单一的 flash + sram combomemory
– sst31lf041/041a: 512k x8 flash + 128k x8 sram
– sst31lf043/043a: 512k x8 flash + 32k x8 sram
•
单独的 3.0-3.6v 读 和 写 行动
•
concurrent 运作
–
读 从 或者 写 至 sram 当
擦掉/程序 flash
•
更好的 可靠性
–
忍耐力: 100,000 循环 (典型)
–
更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量:
–
起作用的 电流: 10 毫安 (典型) 为 flash 和
20 毫安 (典型) 为 sram 读
–
备用物品 电流: 10 µa (典型)
•
flash sector-擦掉 能力
–
uniform 4 kbyte sectors
•
latched 地址 和 数据 为 flash
•
快 读 进入 时间:
–
sst31lf041/043 flash: 70 ns
sram: 70 ns
–
sst31lf041a/043a flash: 300 ns
sram: 300 ns
•
flash 快 擦掉 和 字节-程序:
–
sector-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
bank-擦掉 时间: 70 ms (典型)
–
字节-程序 时间: 14 µs (典型)
–
bank rewrite 时间: 8 秒 (典型)
•
flash 自动 擦掉 和 程序 定时
–
内部的 v
PP
一代
•
flash 终止-的-写 发现
–
toggle 位
–
data# polling
•
cmos i/o 兼容性
•
电子元件工业联合会 标准 command 设置
•
包装 有
–
32-含铅的 tsop (8 x 14 mm) sst31lf041a/043a
–
40-含铅的 tsop (10 x 14 mm) sst31lf041/043
产品 描述
这 sst31lf041/041a/043/043a 设备 是 一个 512k x8
cmos flash 记忆 bank 联合的 和 一个 128k x8 或者
32k x8 cmos sram 记忆 bank 制造的 和
SST
’
s 专卖的, 高 效能 superflash technol-
ogy. 这 sst31lf041/041a/043/043a 设备 写
(sram 或者 flash) 和 一个 3.0-3.6v 电源 供应. 这 mono-
lithic sst31lf041/041a/043/043a 设备 遵从 至
软件 数据 保护 (sdp) commands 为 x8
eeproms.
featuring 高 效能 字节-程序, 这 flash mem-
ory bank 提供 一个 最大 字节-程序 时间 的 20
µsec. 这 全部 flash 记忆 bank 能 是 erased 和
编写程序 字节-用-字节 在 典型地 8 秒, 当
使用 接口 特性 此类 作 toggle 位 或者 data# polling
至 表明 这 completion 的 程序 运作. 至 保护
相反 inadvertent flash 写, 这 sst31lf041/041a/
043/043a 设备 有 在-碎片 硬件 和 软件
数据 保护 schemes. 设计, 制造的, 和
测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 这
sst31lf041/041a/043/043a 设备 是 offered 和 一个
有保证的 忍耐力 的 10,000 循环. 数据 保持 是
评估 在 更好 比 100 年.
这 sst31lf041/041a/043/043a 运作 作 二 inde-
pendent 记忆 banks 和 各自的 bank 使能 sig-
nals. 这 sram 和 flash 记忆 banks 是
superimposed 在 这 一样 记忆 地址 空间. 两个都
记忆 banks share 一般 地址 线条, 数据 线条,
we# 和 oe#. 这 记忆 bank 选择 是 完毕 用
记忆 bank 使能 信号. 这 sram bank 使能 sig-
nal, bes# 选择 这 sram bank 和 这 flash 记忆
bank 使能 信号, bef# 选择 这 flash 记忆 bank.
这 we# 信号 有 至 是 使用 和 软件 数据 protec-
tion (sdp) command sequence 当 controlling 这 擦掉
和 程序 行动 在 这 flash 记忆 bank. 这
sdp command sequence 保护 这 数据 贮存 在 这
flash 记忆 bank 从 意外的 改变.
这 sst31lf041/041a/043/043a 提供 这 增加 func-
tionality 的 正在 能 至 同时发生地 读 从 或者 写
至 这 sram bank 当 erasing 或者 程序编制 在 这
flash 记忆 bank. 这 sram 记忆 bank 能 是 读
或者 写 当 这 flash 记忆 bank 执行 sector-
擦掉, bank-擦掉, 或者 字节-程序 concurrently. 所有 flash
记忆 擦掉 和 程序 行动 将 automatically
获得 这 输入 地址 和 数据 信号 和 完全 这
运作 在 background 没有 更远 输入 stimulus
必要条件. once 这 内部 控制 擦掉 或者 pro-
gram 循环 在 这 flash bank 有 commenced, 这 sram
bank 能 是 accessed 为 读 或者 写.
这 sst31lf041/041a/043/043a 设备 是 suited 为
产品 那 使用 两个都 nonvolatile flash 记忆 和
易变的 sram 记忆 至 store 代号 或者 数据. 为 所有 sys-
tem 产品, 这 sst31lf041/041a/043/043a
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
sst31lf041 / 041a4mb flash (x8) + 1 mb sram (x8) combomemories
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