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数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
交流 特性
表格 9: sram m
EMORY
B
ANK
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
(v
DD
= 3.0-3.6v)
标识 参数
sst31lf041/043-70 sst31lf041a/043a-300
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
RCS
读 循环 时间 70 300 ns
T
BES
bank 使能 进入 时间 70 300 ns
T
AAS
地址 进入 时间 70 300 ns
T
OES
1
1. 非 t
OES
值 为 sst31lf041a/043a
输出 使能 进入 时间 35 150 ns
T
BLZS
2
2. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
bes# 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZS
1
输出 使能 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
BHZS
1
bes# 至 高-z 输出 25 30 ns
T
OHZS
1
输出 使不能运转 至 高-z 输出 25 30 ns
T
OHS
输出 支撑 从 地址 改变 0 10 ns
t9.8 349
表格 10: sram m
EMORY
B
ANK
W
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
(v
DD
= 3.0-3.6v)
标识 参数
sst31lf041/043-70 sst31lf041a/043a-300
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
WCS
写 循环 时间 70 300 ns
T
BWS
bank 使能 至 终止-的-写 60 230 ns
T
AWS
地址 有效的 至 终止-的-写 60 230 ns
T
ASTS
地址 设置-向上 时间 0 0 ns
T
WPS
写 脉冲波 宽度 60 200 ns
T
WRS
写 恢复 时间 0 0 ns
T
DSS
数据 设置-向上 时间 30 150 ns
T
DHS
数据 支撑 从 写 时间 0 0 ns
t10.5 349
表格 11: F
LASH
R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
(v
DD
= 3.0-3.6v)
标识 参数
sst31lf041/043-70 sst31lf041a/043a-300
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
RC
读 循环 时间 70 300 ns
T
是
bank 使能 进入 时间 70 300 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 300 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 40 150 ns
T
BLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
bef# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
BHZ
1
bef# 高 至 高-z 输出 15 60 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 15 60 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
t11.5 349
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