数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
11
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
表格 12: F
LASH
P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
(v
DD
= 3.0-3.6v)
标识 参数
sst31lf041/043-70
sst31lf041a/
043a-300
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
BP
字节-程序 时间 20 20 µs
T
作
地址 建制 时间 0 0 ns
T
AH
地址 支撑 时间 30 50 ns
T
BS
we# 和 bef# 建制 时间 0 0 ns
T
BH
we# 和 bef# 支撑 时间 0 0 ns
T
OES
oe# 高 建制 时间 0 0 ns
T
OEH
oe# 高 支撑 时间 10 10 ns
T
BP
bef# 脉冲波 宽度 40 100 ns
T
WP
we# 脉冲波 宽度 40 100 ns
T
WPH
we# 脉冲波 宽度 高 30 50 ns
T
BPH
bef# 脉冲波 宽度 高 30 50 ns
T
DS
数据 建制 时间 40 50 ns
T
DH
数据 支撑 时间 0 0 ns
T
IDA
软件 id 进入 和 exit 时间 150 150 ns
T
SE
sector-擦掉 25 25 ms
T
SBE
bank-擦掉 100 100 ms
T
BS
bank 使能 建制 时间 为 concurrent 运作 0 0 ns
t12.4 349
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