数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
sst31lf041 有效的 结合体
sst31lf041-70-4c-wi
sst31lf041-70-4e-wi
sst31lf041a 有效的 结合体
sst31lf041a-300-4c-wh
sst31lf041a-300-4e-wh
sst31lf043 有效的 结合体
sst31lf043-70-4c-wi
sst31lf043-70-4e-wi
sst31lf043a 有效的 结合体
sst31lf043a-300-4c-wh
sst31lf043a-300-4e-wh
例子:
有效的 结合体 是 那些 产品 在 mass 生产 或者 将 是 在 mass 生产. 咨询 your sst 销售
代表 至 confirm 有效性 的 有效的 结合体 和 至 决定 有效性 的 新 结合体.
设备 速 Suffix1 Suffix2
SST31
LF04xx -xxx -xX -xX
包装 modifier
h = 32 leads
i = 40 leads
numeric = 消逝 modifier
包装 类型
w = tsop (8mm x 14mm - 32-含铅的 包装)
(10mm x 14mm - 40-含铅的 包装)
温度 范围
c = 商业的 = 0
°
c 至 +70
°
C
e = 扩展 = -20
°
c 至 +85
°
C
最小 忍耐力
4 = 10,000 循环
读 进入 速
70 = 70 ns
300 = 300 ns
Versi在
一个 = 32-含铅的 tsop 包装
密度
041/041a = 4 mbit flash + 1 mbit sram
043/043a = 4 mbit flash + 256 kbit sram
Volt一个ge
l = 3.0-3.6v
设备 家族
31 = 大而单一的 combomemory
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