数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
输出 控制 和 是 使用 至 门 数据 从 这 输出 管脚.
这 数据 总线 是 在 高 阻抗 状态 当 oe# 是 高.
看 图示 5 为 这 读 循环 定时 图解.
flash 擦掉/程序 运作
sdp commands 是 使用 至 initiate 这 flash 记忆 bank
程序 和 擦掉 行动 的 这 sst31lf041/041a/
043/043a. sdp commands 是 承载 至 这 flash mem-
ory bank 使用 标准 微处理器 写 sequences.
一个 command 是 承载 用 asserting we# 低 当 keeping
bef# 低 和 oe# 高. 这 地址 是 latched 在 这 下降-
ing 边缘 的 we# 或者 bef#, whichever occurs last. 这 数据
是 latched 在 这 rising 边缘 的 we# 或者 bef#, whichever
occurs 第一.
flash 字节-程序 运作
这 flash 记忆 bank 的 这 sst31lf041/041a/043/
043a 设备 是 编写程序 在 一个 字节-用-字节 基准.
在之前 这 程序 行动, 这 记忆 必须 是
erased 第一. 这 程序 运作 组成 的 三 步伐.
这 第一 步伐 是 这 三-字节-加载 sequence 为 软件
数据 保护. 这 第二 步伐 是 至 加载 字节 地址
和 字节 数据. 在 这 字节-程序 运作, 这
地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的 也 bef# 或者
we#, whichever occurs last. 这 数据 是 latched 在 这 ris-
ing 边缘 的 也 bef# 或者 we#, whichever occurs 第一.
这 第三 步伐 是 这 内部的 程序 运作 这个 是 ini-
tiated 之后 这 rising 边缘 的 这 fourth we# 或者 bef#,
whichever occurs 第一. 这 程序 运作, once initi-
ated, 将 是 完成, 在里面 20 µs. 看 计算数量 6 和 7
为 we# 和 bef# 控制 程序 运作 定时
图解 和 图示 17 为 flowcharts. 在 这 程序
运作, 这 仅有的 有效的 flash 读 行动 是 data#
polling 和 toggle 位. 在 这 内部的 程序 opera-
tion, 这 host 是 自由 至 执行 额外的 tasks. 任何 sdp
commands 承载 在 这 内部的 程序 运作
将 是 ignored.
flash sector-擦掉 运作
这 sector-擦掉 运作 准许 这 系统 至 擦掉 这
flash 记忆 bank 在 一个 sector-用-sector 基准. 这 sector
architecture 是 为基础 在 uniform sector 大小 的 4 kbytes.
这 sector-擦掉 运作 是 initiated 用 executing 一个 六-
字节-command 加载 sequence 为 软件 数据 protec-
tion 和 sector-擦掉 command (30h) 和 sector 地址
(sa) 在 这 last 总线 循环. 这 地址 线条 一个
18
-一个
12
将 是
使用 至 决定 这 sector 地址. 这 sector 地址
是 latched 在 这 下落 边缘 的 这 sixth we# 脉冲波, 当
这 command (30h) 是 latched 在 这 rising 边缘 的 这
sixth we# 脉冲波. 这 内部的 擦掉 运作 begins 之后
这 sixth we# 脉冲波. 这 终止-的-擦掉 能 是 决定
使用 也 data# polling 或者 toggle 位 方法. 看 图-
ure 10 为 定时 波形. 任何 sdp commands 承载
在 这 sector-擦掉 运作 将 是 ignored.
flash bank-擦掉 运作
这 sst31lf041/041a/043/043a flash 记忆 bank pro-
vides 一个 bank-擦掉 运作, 这个 准许 这 用户 至
擦掉 这 全部 flash 记忆 bank 排列 至 这
“
1s
”
状态.
这个 是 有用的 当 这 全部 bank 必须 是 quickly erased.
这 bank-擦掉 运作 是 initiated 用 executing 一个 六-
字节 软件 数据 保护 command sequence 和
bank-擦掉 command (10h) 和 地址 5555h 在 这 last
字节 sequence. 这 内部的 擦掉 运作 begins 和
这 rising 边缘 的 这 sixth we# 或者 bef# 脉冲波, whichever
occurs 第一. 在 这 内部的 擦掉 运作, 这 仅有的
有效的 flash 读 行动 是 toggle 位 和 data# poll-
ing. 看 表格 4 为 这 command sequence, 图示 11 为
定时 图解, 和 图示 20 为 这 flowchart. 任何 sdp
commands 承载 在 这 bank-擦掉 运作 将 是
ignored.
flash 写 运作 状态 发现
这 sst31lf041/041a/043/043a flash 记忆 bank pro-
vides 二 软件 意思 至 发现 这 completion 的 一个
flash 记忆 bank 写 (程序 或者 擦掉) 循环, 在
顺序 至 优化 这 系统 写 循环 时间. 这 软件
发现 包含 二 状态 位: data# polling (dq
7
) 和
至g gleB i t( D Q
6
). 这 终止-的-写 发现 模式 是
使能 之后 这 rising 边缘 的 we#, 这个 initiates 这
内部的 程序 或者 擦掉 运作. 这 真实的 comple-
tion 的 这 nonvolatile 写 是 异步的 和 这 sys-
tem; 因此, 也 一个 data# polling 或者 toggle 位 读
将 是 同时发生的 和 这 completion 的 这 写
循环. 如果 这个 occurs, 这 系统 将 possibly 得到 一个 errone-
ous 结果, i.e., 有效的 数据 将 呈现 至 conflict 和 也
DQ
7
或者 dq
6
. 在 顺序 至 阻止 spurious 拒绝, 如果 一个
erroneous 结果 occurs, 这 软件 routine 应当
包含 一个 循环 至 读 这 accessed location 一个 额外的
二 (2) 时间. 如果 两个都 读 是 有效的, 然后 这 设备 有
完成 这 写 循环, 否则 这 拒绝 是 有效的.
flash data# polling (dq
7
)
当 这 sst31lf041/041a/043/043a flash 记忆
bank 是 在 这 内部的 程序 运作, 任何 attempt 至
读 dq
7
将 生产 这 complement 的 这 真实 数据.
once 这 程序 运作 是 完成, dq
7
将 pro-
duce 真实 数据. 这 flash 记忆 bank 是 然后 准备好 为
这 next 运作. 在 内部的 擦掉 运作, 任何
attempt 至 读 dq
7
将 生产 一个
‘
0
’
. once 这 内部的
擦掉 运作 是 完成, dq
7
将 生产 一个
‘
1
’
. 这
data# polling 是 有效的 之后 这 rising 边缘 的 这 fourth we#
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