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数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
图示 2: P
在
一个
SSIGNMENTS
为
32-
含铅的
tsop (8
MM
X
14
MM
) - sstlf041a/043a
表格 2: P
在
D
ESCRIPTION
标识 管脚 名字 功能
一个
MS
1
-一个
0
1. 一个
MS
= 大多数 重大的 地址
地址 输入 至 提供 记忆 地址. 一个
18
-一个
0
至 提供 flash 地址
一个
16
-一个
0
至 提供 sram 地址 为
sst32lf041/041a
一个
14
-一个
0
至 提供 sram 地址 为
sst31lf043/043a
在 flash sector-擦掉, 一个
18
-一个
12
地址 线条 将 选择 这 sector.
DQ
7
-dq
0
数据 输入/输出 至 输出 数据 在 读 循环 和 receive 输入 数据 在 写 循环.
数据 是 内部 latched 在 一个 flash 擦掉/程序 循环.
这 输出 是 在 触发-状态 当 oe# 或者 bes# 和 bef# 是 高.
BES# sram 记忆 bank 使能 至 活动 这 sram 记忆 bank 当 bes# 是 低.
便条: 为 sst31lf041a/043a, bes# 和 oe# share 管脚 32.
BEF# flash 记忆 bank 使能 至 活动 这 flash 记忆 bank 当 bef# 是 低.
OE# 输出 使能 至 门 这 数据 输出 缓存区.
便条: 为 sst31lf041a/043a, bes# 和 oe# share 管脚 32.
WE# 写 使能 至 控制 这 写 行动.
V
DD
电源 供应 3.0-3.6v 电源 供应
V
SS
地面
t2.11 349
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
DD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
oe#/bes#
A10
BEF#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
349 ill f01a.1
标准 引脚
顶 视图
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