数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
7
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
表格 3: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
模式 BES#
1
BEF#
1
OE# WE# 一个
9
DQ 地址
Flash
读 X
2
V
IL
V
IL
V
IH
一个
在
D
输出
一个
在
程序 X V
IL
V
IH
V
IL
一个
在
D
在
一个
在
擦掉 X V
IL
V
IH
V
IL
X X sector 地址,
xxh 为 bank-擦掉
SRAM
读 V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
一个
在
D
输出
一个
在
写 V
IL
V
IH
XV
IL
一个
在
D
在
一个
在
备用物品 V
IHC
V
IHC
xxxhigh z X
flash 写 inhibit X X V
IL
X X 高 z / d
输出
X
XXXV
IH
xhigh z / d
输出
X
XV
IH
xxxhigh z / d
输出
X
产品 identification
硬件 模式 X V
IL
V
IL
V
IH
V
H
生产者
’
s id (bfh)
设备 id
3
一个
18
-一个
1
=V
IL
, 一个
0
=V
IL
一个
18
-一个
1
=V
IL
, 一个
0
=V
IH
软件 模式 X V
IL
V
IL
V
IH
一个
在
id 代号 看 表格 4
t3.9 349
1. bes# 和 bef# 不能 是 asserted 同时发生地. 为 sst31lf041a/043a bes# 和 oe# share 管脚 32.
当 flash 是 起作用的, 管脚 32 变为 oe#. 当 flash 是 inactive, 管脚 32 变为 bes#.
2. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值.
3. 设备 id 17h 为 sst31lf041, 16h 为 sst31lf041a, 65h 为 sst31lf043 和 66h 为 sst31lf043a.
表格 4: S
OFTWARE
C
OMMAND
S
EQUENCE
Command
Sequence
1st 总线
写 循环
2nd 总线
写 循环
3rd 总线
写 循环
4th 总线
写 循环
5th 总线
写 循环
6th 总线
写 循环
地址
1
1. 地址 format 一个
14
-一个
0
(十六进制),地址 一个
15
-一个
18
能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值, 为 这 command sequence.
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据
字节-程序 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H A0H BA
2
2. ba = 程序 字节 地址
数据
sector-擦掉 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAAH 55H SA
X
3
3. SA
X
为 sector-擦掉; 使用 一个
18
-一个
12
地址 线条
30H
bank-擦掉 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 10H
软件 id entry
4,5
4. 这 设备 做 不 仍然是 在 软件 产品 id 模式 如果 powered 向下.
5. 和 一个
18
-一个
1
=0; sst 生产者
’
s id= bfh, 是 读 和 一个
0
= 0,
sst31lf041 设备 id = 17h, 是 读 和 一个
0
= 1,
sst31lf041a 设备 id = 16h, 是 读 和 一个
0
= 1
sst31lf043 设备 id = 65h, 是 读 和 一个
0
= 1
sst31lf043a 设备 id = 66h, 是 读 和 一个
0
= 1
5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H
软件 id exit 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H F0H
t4.7 349
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