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数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面
“
绝对 最大
压力 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
运行 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -20
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .-65
°
c 至 +150
°
C
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至 v
DD
+0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1.0v 至 v
DD
+1.0v
电压 在 一个
9
管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 13.2v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25
°
c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0w
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 240
°
C
输出 short 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50毫安
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 shorted 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 3.0-3.6v
扩展 -20
°
c 至 +85
°
C 3.0-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间. . . . . . . . . . . . . . .5 ns
输出 加载. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C
L
= 30 pf
看 计算数量 15 和 16