数据 薄板
4 mbit flash + 1 mbit 或者 256 kbit sram combomemory
sst31lf041 / sst31lf041a / sst31lf043 / sst31lf043a
9
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71107-03-000 5/01 349
表格 5: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
(v
DD
= 3.0-3.6v)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入 = v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值, 所有 dqs 打开
读
Flash 12 毫安
OE#=V
IL
, we#=v
IH
BEF#=V
IL
, bes#=v
IH
SRAM 40 毫安 BEF#=V
IH
, bes#=v
IL
concurrent 运作 55 毫安 BEF#=V
IH
, bes#=v
IL
写
flash (程序) 15 毫安
OE#=V
IH
, we#=v
IL
BEF#=V
IL
, bes#=v
IH
SRAM 40 毫安 BEF#=V
IH
, bes#=v
IL
I
SB
1
备用物品 v
DD
电流 30 µA BEF#=BES#=V
IHC
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.4 V V
DD
= v
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.7v
DD
VV
DD
= v
DD
最大值
V
IHC
输入 高 电压 (cmos) V
DD
-0.3 V V
DD
= v
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.2 V I
OL
= 100 µa, v
DD
= v
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 V
DD
-0.2 V I
OH
= -100 µa, v
DD
= v
DD
最小值
V
H
supervoltage 为 一个
9
管脚 11.4 12.6 V BEF#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
管脚 200 µA BEF#=OE#=V
IL
, we#=v
ih,
一个
9
=V
H
最大值
t5.14 349
1. 规格 应用 至 商业的 温度 设备 仅有的. 这个 参数 将 是 高等级的 为 扩展 设备.
表格 6: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
1
电源-向上 至 写 运作 100 µs
t6.2 349
表格 7: C
APACITANCE
(ta = 25
°
c, f=1 mhz, 其它 管脚 打开)
参数 描述 测试 情况 最大
C
i/o
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
i/o 管脚 电容 V
i/o
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t7.2 349
表格 8: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
忍耐力 10,000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t8.4 349
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