MB84VD23280FA-70_集成电路资料查询网

ds05-50221-2e
fujitsu 半导体
数据SHEET
stacked mcp (multi-碎片 包装) flash 记忆 &放大; sram
CMOS
64m (
×
8/
×
16) flash 记忆 &放大;
8m (
×
8/
×
16) 静态的 内存
MB84VD23280FA
-70
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特性
• 电源 供应 电压 的 2.7 v 至 3.1 v
•
高 效能
70 ns 最大 进入 时间 (flash)
70 ns 最大 进入 时间 (sram)
•
运行 温度
–40
°
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c 至 +85
°
°°
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C
• 包装 65-球 fbga
(持续)
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产品 阵容
*: 两个都 v
CC
f 和 v
CC
s 必须 是 在 推荐 运作 范围 当 也 部分 是 正在 accessed.
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PACK一个G E
flash 记忆 SRAM
供应 电压 (v)
V
CC
r* = 3.0 v  V
CC
s* = 3.0 v 
最大值 地址 进入 时间 (ns) 70 70
最大值 ce
进入 时间 (ns) 70 70
最大值 oe
进入 时间 (ns) 30 35
65-管脚 塑料 fbga
(bga-65p-m01)
+0.1v
–0.3 v
+0.1v
–0.3 v

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ds05-50221-2e fujitsu 半导体数据SHEET stacked mcp (multi-碎片包装) flash 记忆 &放大; sram CMOS 64m ( × 8/ × 16) flash 记忆 &放大; 8m ( × 8/ × 16) 静态的内存 MB84VD23280FA -70 ■ ■■ ■ 特性 • 电源供应电压的 2.7 v 至 3.1 v • 高效能 70 ns 最大进入时间 (flash) 70 ns 最大进入时间 (sram) • 运行温度 –40 ° °° ° c 至 +85 ° °° ° C • 包装 65-球 fbga (持续) ■ ■■ ■ 产品阵容 : 两个都 v CC f 和 v CC s 必须是在推荐运作范围当也部分是正在 accessed. ■ ■■ ■ PACK一个G E flash 记忆 SRAM 供应电压 (v) V CC r = 3.0 v V CC s* = 3.0 v 最大值地址进入时间 (ns) 70 70 最大值 ce 进入时间 (ns) 70 70 最大值 oe 进入时间 (ns) 30 35 65-管脚塑料 fbga (bga-65p-m01) +0.1v –0.3 v +0.1v –0.3 v

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