A8184SLT_集成电路资料查询网

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■
T
一个
-p
D
特性
P
D
=I
O
•[V
在
(意思)–v
O
]
600
500
400
300
200
100
0
包围的 温度 t
一个
(
°
c)
–30 0 25 50 75 100
电源 消耗
P
D
(mw)
■
块 图解
a8183slu/a8186slu a8184slt/a8187slt
V
在
V
O
地
地
V
C
reg.
放大.
TSD V
REF
使能
驱动
r
e
t
w
q
V
在
V
O
地
reg.
放大.
TSD V
REF
驱动
qe
w
■
标准 外部 电路
a8183slu/a8186slu a8184slt/a8187slt
*1  c
1
: 振动 prevention 电容 (approx. 0.3
µ
f)
*2  c
0
: 输出 电容 (approx. 4.7
µ
f)
*
2
C
0
*
1
C
1
+
V
在
输出
电池
V
O
V
C
地
地
*
2
C
0
*
1
C
1
+
V
在
1
输出
电池
V
O
3
2
地
●
a8180slu/slt  序列

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10 ■ T 一个 -p D 特性 P D =I O •[V 在 (意思)–v O ] 600 500 400 300 200 100 0 包围的温度 t 一个 ( ° c) –30 0 25 50 75 100 电源消耗 P D (mw) ■ 块图解 a8183slu/a8186slu a8184slt/a8187slt V 在 V O 地地 V C reg. 放大. TSD V REF 使能驱动 r e t w q V 在 V O 地 reg. 放大. TSD V REF 驱动 qe w ■ 标准外部电路 a8183slu/a8186slu a8184slt/a8187slt 1 c 1 : 振动 prevention 电容 (approx. 0.3 µ f) 2 c 0 : 输出电容 (approx. 4.7 µ f) * 2 C 0 * 1 C 1 + V 在输出电池 V O V C 地地 * 2 C 0 * 1 C 1 + V 在 1 输出电池 V O 3 2 地 ● a8180slu/slt 序列

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