a28f400bx-tb
2122 a28f400bx-t 记忆 编排
这 a28f400bx-t 设备 有 这 16-kbyte 激励
块 located 从 3E000H 至 3FFFFH 至 accommo-
日期 那些 微处理器 那 激励 从 这 顶
的 这 地址 map 在 这 a28f400bx-t 这 第一
8-kbyte 参数 块 resides 在 记忆 空间
从 3D000H 至 3DFFFH 这 第二 8-kbyte pa-
rameter 块 resides 在 记忆 空间 从
3C000H 至 3CFFFH 这 96-kbyte 主要的 块 re-
sides 在 记忆 空间 从 30000H 至 3BFFFH
这 三 128-kbyte 主要的 blocks reside 在 记忆
空间 从 20000H 至 2FFFFH 10000H 至 1FFFFH
和 00000H 至 0FFFFH 作 显示 在下 在 图示 5
(文字 地址)
3FFFFH
16-kbyte 激励 块
3DFFFH
3E000H
8-kbyte 参数 块
3CFFFH
3D000H
8-kbyte 参数 块
3BFFFH
3C000H
96-kbyte 主要的 块
2FFFFH
30000H
128-kbyte 主要的 块
1FFFFH
20000H
128-kbyte 主要的 块
0FFFFH
10000H
128-kbyte 主要的 块
00000H
图示 5 a28f400bx-t 记忆 编排
30 产品 家族 PRINCIPLES
的 运作
Flash 记忆 augments 非易失存储器 符合实际 和
在-电路 电的 写 和 erase 这 4-mbit flash
家族 运用 一个 Command 用户 接口 (cui) 和
内部 发生 和 安排时间 algorithms 至 使简化
写 和 擦掉 operations
这 CUI 准许 为 100% ttl-水平的 控制 inputs
fixed 电源 供应 在 erasure 和 程序-
ming 和 最大 非易失存储器 compatibility
在 这 absence 的 高 电压 在 这 V
PP
pin 这
4-mbit 激励 块 flash 家族 将 仅有的 successfully
execute 这 下列的 commands 读 Array 读
状态 Register Clear 状态 寄存器 和 intelli-
gent Identifier mode 这 设备 提供 标准
非易失存储器 read 备用物品 和 输出 使不能运转 opera-
tions 生产者 Identification 和 设备 identi-
fication 数据 能 是 accessed 通过 这 CUI 或者
通过 这 标准 非易失存储器 一个
9
高 电压 交流-
cess (v
ID
) 为 PROM 程序编制 equipment
这 一样 非易失存储器 read 备用物品 和 输出 使不能运转
功能 是 有 当 高 电压 是 应用
至 这 V
PP
pin 在 addition 高 电压 在 V
PP
al-
lows 写 和 擦掉 的 这 device 所有 功能 作-
sociated 和 altering 记忆 contents 写 和
erase Intelligent Identifier 读 和 读 状态 是
accessed 通过 这 CUI
这 目的 的 这 写 状态 机器 (wsm) 是 至
完全地 automate 这 写 和 erasure 的 这
device 这 WSM 将 begin 运作 在之上 receipt
的 一个 信号 从 这 CUI 和 将 report 状态 后面的
通过 一个 状态 Register 这 CUI 将 handle 这
我们
接口 至 这 数据 和 地址 latches 作
好 作 系统 软件 requests 为 状态 当 这
WSM 是 在 operation
31 总线 行动
Flash 记忆 reads erases 和 写 在-系统
通过 这 local CPU 所有 总线 循环 至 或者 从 这 flash
记忆 遵从 至 标准 微处理器 总线
cycles
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