Am29F040B 29
擦掉 和 程序编制 效能
注释:
1. 典型 程序 和 擦掉 时间 假设 这 下列的 情况: 25
°
c, 5.0 v v
CC
, 1,000,000 循环. additionally,
程序编制 typicals 假设 checkerboard 模式.
2.
下面 worst 情况 情况 的 90°c, v
CC
= 4.5 v (4.75 v 为 -55), 1,000,000 cycles.
3. 这 典型 碎片 程序编制 时间 是 非常 较少 比 这 最大 碎片 程序编制 时间 列表, 自从 大多数 字节
程序 faster 比 这 最大 字节 程序 时间 列表. 如果 这 最大 字节 程序 时间 给 是 超过, 仅有的 然后
做 这 设备 设置 dq5 = 1. 看 这 部分 在 dq5 为 更远 信息.
4. 在 这 前-程序编制 步伐 的 这 embedded 擦掉 algorithm, 所有 字节 是 编写程序 至 00h 在之前 erasure.
5. 系统-水平的 overhead 是 这 时间 必需的 至 execute 这 四-总线-循环 command sequence 为 程序编制. 看 表格 4
为 更远 信息 在 command 定义.
6. 这 设备 有 一个 有保证的 最小 擦掉 和 程序 循环 忍耐力 的 1,000,000 循环.
latchup 特性
包含 所有 管脚 除了 v
CC
. 测试 情况: v
CC
= 5.0 v, 一个 管脚 在 一个 时间.
tsop 管脚 电容
注释:
1. 抽样, 不 100% 测试.
2. 测试 情况 t
一个
= 25°c, f = 1.0 mhz.
参数 典型值 (便条 1) 最大值 (便条 2) 单位 Comments
sector 擦掉 时间 1 8 秒
excludes 00h 程序编制 较早的 至
erasure (便条 4)
碎片 擦掉 时间 8 64 秒
字节 程序编制 时间 7 300
µs
excludes 系统-水平的 overhead
(便条 5)
碎片 程序编制 时间 (便条 3) 3.6 10.8 秒
最小值 最大值
输入 电压 和 遵守 至 v
SS
在 所有 i/o 管脚 –1.0 v V
CC
+ 1.0 v
V
CC
电流 –100 毫安 +100 毫安
参数 标识 参数 描述 测试 建制 典型值 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0 6 7.5 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0 8.5 12 pF
C
IN2
控制 管脚 电容 V
在
= 0 7.5 9 pF