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资料编号:12147
 
资料名称:AM29F040B-1
 
文件大小: 790.23K
   
说明
 
介绍:
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
 
 


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Am29F040B 35
修订 summary
修订 一个 (将 1997)
最初的 释放.
修订 b (january 1998)
Global
formatted 为 consistency 和 其它 5.0 volt-仅有的 数据
数据 薄板.
修订 b+1 (january 1998)
交流 特性, 擦掉 和 程序 行动
增加 便条 references 至 t
WHWH1
. corrected 这 pa-
rameter 标识 为 v
CC
设置-向上 时间 至 t
VCS
; 这
修订 b+2 (april 1998)
distinctive 特性
changed 最小 100k 写/擦掉 循环 guaran-
teed 至 1,000,000.
订货 infomation
增加 扩展 温度 有效性 至 这 -55 和
-70 速 选项.
交流 特性
擦掉/程序 行动; 擦掉 和 程序 oper-
ations alternate ce# 控制 写:
corrected 这
注释 涉及 为 t
WHWH1
和 t
WHWH2
.
这些 参数 是 100% 测试. corrected 这 便条
涉及 为 t
VCS
. 这个 参数 是 不 100% 测试.
擦掉 和 程序编制 效能
changed 最小 100k 程序 和 擦掉 循环
有保证的 至 1,000,000.
修订 c (january 1999)
Global
updated 为 cs39s 处理 技术.
distinctive 特性
直流 characterisitics—ttl/nmos 兼容
V
OH
: changed 这 参数 描述 至 “output
高 voltage” 从 输出 高 level”.
直流 characteristics—ttl/nmos 兼容 和
cmos 兼容
I
CC1
, i
CC2
, i
CC3
: 增加 便条 2 “maximum i
CC
specifi-
= v
CCmax
”.
I
CC3
: deleted v
CC
= v
CC
最大值
修订 c+1 (二月 1999)
command 定义
command 定义 表格:
deleted “xx” 从 这
fourth 循环 数据 column 的 这 sector 保护 核实
command.
修订 c+2 (将 17, 1999)
corrected 这 输入 和 输出 度量 entries 在
修订 d (十一月 15, 1999)
交流 characteristics—figure 9. 程序 行动
定时 和 图示 10. 碎片/sector 擦掉
行动
deleted t
GHWL
和 changed oe# 波形 至 开始 在
高.
物理的 维度
修订 e (十一月 29, 2000)
增加 表格 的 内容.
订货 信息
deleted 烧-在 选项.
商标
版权 © 2000 先进的 微观的 设备, 公司 所有 权利 保留.
amd, 这 amd 标志, 和 结合体 thereof 是 注册 商标 的 先进的 微观的 设备, 公司
expressflash 是 一个 商标 的 先进的 微观的 设备, 公司
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