ADP3168
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另一 重要的 因素 在 这 inductor 设计 是 这 dcr,
这个 是 使用 为 测量 这 阶段 电流. 一个 大 dcr
导致 过度的 电源 losses, 当 too 小 一个 值 leads 至
增加 度量 错误. 一个 好的 rule 是 至 有 这 dcr
是 关于 1 至 1½ 时间 这 droop 阻抗 (r
O
). 我们的 例子
使用 一个 inductor 和 一个 dcr 的 1.6 mΩ.
使能
电源
好的
R
LIM
200k
Ω
C
DLY
39nF
R
T
249k
Ω
R
DLY
390k
Ω
R
一个
16.9k
Ω
C
FB
33pF
C
一个
390pF
C
CS1
2.2nf
R
B
1.33k
Ω
C
B
1.5nf
R
PH1
124k
Ω
从 cpu
R
R
383k
Ω
C
CS2
1.5nf
R
CS1
35.7k
Ω
R
PH3
124k
Ω
R
SW1
1
R
SW3
1
R
SW2
1
R
CS2
73.2k
Ω
R
PH2
124k
Ω
U1
ADP3168
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID5
FBRTN
FB
竞赛
PWRGD
EN
延迟
RT
RAMPADJ
VCC
PWM1
PWM2
PWM3
PWM4
SW1
SW2
SW3
SW4
地
CSCOMP
CSSUM
CSREF
ILIMIT
C19
1
µ
F
R4
10
Ω
C20
33
µ
F
Q8
IPD06N03L
L4
600nh/1.6m
Ω
BST
在
OD
VCC
DRVH
SW
PGND
DRVL
C15
4.7
µ
F
C18
4.7nf
R3
2.2
Ω
R
TH
100k
Ω
, 5%
Q9
IPD06N03L
U4
ADP3418
D4
1N4148WS
C17
4.7
µ
F
Q7
IPD12N03L
C16
100nF
Q5
IPD06N03L
C12
100nF
U3
ADP3418
BST
在
OD
VCC
DRVH
SW
PGND
DRVL
C11
4.7
µ
F
D3
1N4148WS
C14
4.7nf
R2
2.2
Ω
Q6
IPD06N03L
Q2
IPD06N03L
Q3
IPD06N03L
Q4
IPD12N03L
L3
600nh/1.6m
Ω
C7
4.7
µ
F
C13
4.7
µ
F
10
µ
F
×
23MLCC
周围
插座
V
cc(核心)
0.8375v–1.6v
65a avg, 74a pk
V
cc(核心) rtn
820
µ
f/2.5v
×
8
fujitsu re 序列
8m
Ω
等效串联电阻 (各自)
L2
600nh/1.6m
Ω
C21
C28
C10
4.7nf
R1
2.2
Ω
Q1
IPD12N03L
C8
100nF
C9
4.7
µ
F
U2
ADP3418
BST
在
OD
VCC
DRVH
SW
PGND
DRVL
++
+
D2
1N4148WS
D1
1N4148WS
V
在
12V
V
在
RTN
L1
1.6
µ
H
C1
C6
470
µ
f/16v
×
6
nichicon pw 序列
++
便条:
1
为 一个 描述 的 optional r
SW
电阻器, 看 这 theory 的 运作 部分.
1
2
3
4
1
2
3
4
1
2
3
4
8
7
6
5
8
7
6
5
8
7
6
5
3
1
4
5
2
6
10
14
7
8
9
11
12
13
26
25
24
28
27
19
22
21
20
23
15
18
17
16
03258-011
图示 11. 65 一个 intel pentium 4-cpu 供应 电路, vrd 10 设计