ADP3181JRQZ-RL_集成电路资料查询网

 ADP3181
rev. 一个 | 页 19 的 24
mosfets 在 并行的, 限制 这 输入 电容 为 各自
同步的 场效应晶体管 至 3,000 pf.
这 高-一侧 (主要的) 场效应晶体管 必须 是 能 至 handle 二
主要的 电源 消耗 组件; 传导 和 切换
losses. 这 切换 丧失 是 related 至 这 数量 的 时间 它
takes 为 这 主要的 场效应晶体管 至 转变 在 和 止, 和 至 这
电流 和 电压 那 是 正在 切换. basing 这
切换 速 在 这 上升 和 下降 时间 的 这 门 驱动器
阻抗 和 场效应晶体管 输入 电容, 这 下列的
expression 提供 一个 近似的 值 为 这 切换 丧失
每 主要的 场效应晶体管, 在哪里 nmf 是 这 总的 号码 的 主要的
mosfets:
()
ISS
MF
O
MF
OCC
SW
MFS
C
n
n
R
n
IV
fP
×××
×
××=
2
(17)
here, r
G
是 这 总的 门 阻抗 (2 Ω 为 这 adp3110 和
关于 1 Ω 为 典型 高 速 切换 mosfets, 制造
R
G
= 3 Ω) 和 c
ISS
是 这 输入 电容 的 这 主要的
场效应晶体管. 它 是 interesting 至 便条 那 adding 更多 主要的
mosfets (n
MF
) 做 不 改进 这 切换 丧失 每
场效应晶体管 因为 这 额外的 门 电容 slows 向下
切换. 这 最好的 方法 至 减少 切换 丧失 是 至 使用
更小的 门 电容 设备.
这 传导 丧失 的 这 主要的 场效应晶体管 是 给 用 这
下列的, 在哪里 r
ds(mf)
是 这 在-阻抗 的 这 场效应晶体管:
() ()
MFDS
MF
R
MF
O
MFC
R
n
在
n
I
DP
×
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
×
×+
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
×=
22
12
1
(18)
典型地, 为 主要的 mosfets, 这 最高的 速 (低 c
ISS
)
设备 是 desirable, 但是 这些 通常地 有 高等级的 在-阻抗.
一个 设备 那 满足 这 总的 电源 消耗 (关于 1.5 w 为
一个 单独的 d pak) 当 结合 这 切换 和 传导
losses 应当 是 选择.
为 这个 例子, 一个 infineon ipd12n03l 是 选择 作 这
主要的 场效应晶体管 (三 总的; n
MF
= 3), 和 一个 c
ISS
= 1460 pf
(最大值) 和 r
ds(mf)
= 14 mΩ (最大值 在 t
J
= 120ºc), 和 一个
infineon ipd06n03l 是 选择 作 这 同步的 场效应晶体管
(六 总的; n
SF
= 6), 和 c
ISS
= 2,370 pf (最大值), 和 r
ds(sf)
= 8.3
mΩ (最大值 在 t
J
= 120°c). 这 同步的 场效应晶体管 c
ISS
是 较少
比 3,000°pf, satisfying 那 必要条件. solving 为 这
电源 消耗 每 场效应晶体管 在 i
O
= 65 一个 和 i
R
= 13 一个
产量 900 mw 为 各自 同步的 场效应晶体管 和 1.6 w 为
各自 主要的 场效应晶体管. 这些 号码 工作 好 considering
那里 是 通常地 更多 pcb 范围 有 为 各自 主要的
场效应晶体管 相比 各自 同步的 场效应晶体管.
一个 last thing 至 考虑 是 这 电源 消耗 在 这 驱动器
为 各自 阶段. 这个 是 最好的 描述 在 条款 的 这 q
G
为 这
mosfets 和 是 给 用 这 下列的, 在哪里 q
GMF
是 这 总的
门 承担 为 各自 主要的 场效应晶体管 和 q
GSF
是 这 总的 门
承担 为 各自 同步的 场效应晶体管:
()
CCCCGSFSFGMF
MF
SW
DRV
VIQnQn
n
f
P
×
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
+×+××
×
=
2
(19)
也 显示 是 这 备用物品 消耗 因素 (i
CC
× v
CC
) 为 这
驱动器. 为 这 adp3110, 这 最大 消耗 应当 是
较少 比 400 mw. 为 我们的 例子, 和 i
CC
= 7 毫安, q
GMF
=
22.8 nc 和 q
GSF
= 34.3 nc, 那里 是 260 mw 在 各自 驱动器,
这个 是 在下 这 400 mw 消耗 限制.
ramp 电阻 选择
这 ramp 电阻 (r
R
) 是 使用 为 设置 这 大小 的 这 内部的
pwm ramp. 这 值 的 这个 电阻 是 选择 至 提供 这
最好的 结合体 的 热的 balance, 稳固, 和 瞬时
回馈. 这 下列的 expression 是 使用 为 determining 这
最佳的 值:
k813
pf5m2.453
nh0600.2
3
=
×××
×
=
×××
×
=
R
R
DS
D
R
R
R
CRA
LA
R
(20)
在哪里
一个
R
是 这 内部的 ramp 放大器 增益
一个
D
是 这 电流 保持平衡 放大器 增益
R
DS
是 这 总的 低-一侧 场效应晶体管 在-阻抗
C
R
是 这 内部的 ramp 电容 值
这 closest 标准 1% 电阻 值 是 226 kΩ.
这 内部的 ramp 电压 巨大 能 是 计算 使用
( )
()
vm51.0
kHz267pF5k833
v51.1250.10.2
1
=
××
×−×
=
××
×−×
=
R
SW
RR
VIDR
R
V
fCR
VDA
V
(21)
这 大小 的 这 内部的 ramp 能 是 制造 大 或者 小.
如果 它 是 制造 大, 稳固 和 瞬时 回馈 改进,
但是 热的 balance degrades. likewise, 如果 这 ramp 是 制造
小, 热的 balance 改进 在 这 sacrifice 的 瞬时
回馈 和 稳固. 这 因素 的 三 在 这 denominator 的
等式 20 sets 一个 ramp 大小 那 给 一个 最优的 balance 为
好的 稳固, 瞬时 回馈, 和 热的 balance.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

ADP3181 rev. 一个 \| 页 19 的 24 mosfets 在并行的, 限制这输入电容为各自同步的场效应晶体管至 3,000 pf. 这高-一侧 (主要的) 场效应晶体管必须是能至 handle 二主要的电源消耗组件; 传导和切换 losses. 这切换丧失是 related 至这数量的时间它 takes 为这主要的场效应晶体管至转变在和止, 和至这电流和电压那是正在切换. basing 这切换速在这上升和下降时间的这门驱动器阻抗和场效应晶体管输入电容, 这下列的 expression 提供一个近似的值为这切换丧失每主要的场效应晶体管, 在哪里 nmf 是这总的号码的主要的 mosfets: () ISS MF O MF OCC SW MFS C n n R n IV fP ××× × ××= 2 (17) here, r G 是这总的门阻抗 (2 Ω 为这 adp3110 和关于 1 Ω 为典型高速切换 mosfets, 制造 R G = 3 Ω) 和 c ISS 是这输入电容的这主要的场效应晶体管. 它是 interesting 至便条那 adding 更多主要的 mosfets (n MF ) 做不改进这切换丧失每场效应晶体管因为这额外的门电容 slows 向下切换. 这最好的方法至减少切换丧失是至使用更小的门电容设备. 这传导丧失的这主要的场效应晶体管是给用这下列的, 在哪里 r ds(mf) 是这在-阻抗的这场效应晶体管: () () MFDS MF R MF O MFC R n 在 n I DP × ⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ × ×+ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ ×= 22 12 1 (18) 典型地, 为主要的 mosfets, 这最高的速 (低 c ISS ) 设备是 desirable, 但是这些通常地有高等级的在-阻抗. 一个设备那满足这总的电源消耗 (关于 1.5 w 为一个单独的 d pak) 当结合这切换和传导 losses 应当是选择. 为这个例子, 一个 infineon ipd12n03l 是选择作这主要的场效应晶体管 (三总的; n MF = 3), 和一个 c ISS = 1460 pf (最大值) 和 r ds(mf) = 14 mΩ (最大值在 t J = 120ºc), 和一个 infineon ipd06n03l 是选择作这同步的场效应晶体管 (六总的; n SF = 6), 和 c ISS = 2,370 pf (最大值), 和 r ds(sf) = 8.3 mΩ (最大值在 t J = 120°c). 这同步的场效应晶体管 c ISS 是较少比 3,000°pf, satisfying 那必要条件. solving 为这电源消耗每场效应晶体管在 i O = 65 一个和 i R = 13 一个产量 900 mw 为各自同步的场效应晶体管和 1.6 w 为各自主要的场效应晶体管. 这些号码工作好 considering 那里是通常地更多 pcb 范围有为各自主要的场效应晶体管相比各自同步的场效应晶体管. 一个 last thing 至考虑是这电源消耗在这驱动器为各自阶段. 这个是最好的描述在条款的这 q G 为这 mosfets 和是给用这下列的, 在哪里 q GMF 是这总的门承担为各自主要的场效应晶体管和 q GSF 是这总的门承担为各自同步的场效应晶体管: () CCCCGSFSFGMF MF SW DRV VIQnQn n f P × ⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ +×+×× × = 2 (19) 也显示是这备用物品消耗因素 (i CC × v CC ) 为这驱动器. 为这 adp3110, 这最大消耗应当是较少比 400 mw. 为我们的例子, 和 i CC = 7 毫安, q GMF = 22.8 nc 和 q GSF = 34.3 nc, 那里是 260 mw 在各自驱动器, 这个是在下这 400 mw 消耗限制. ramp 电阻选择这 ramp 电阻 (r R ) 是使用为设置这大小的这内部的 pwm ramp. 这值的这个电阻是选择至提供这最好的结合体的热的 balance, 稳固, 和瞬时回馈. 这下列的 expression 是使用为 determining 这最佳的值: k813 pf5m2.453 nh0600.2 3 = ××× × = ××× × = R R DS D R R R CRA LA R (20) 在哪里一个 R 是这内部的 ramp 放大器增益一个 D 是这电流保持平衡放大器增益 R DS 是这总的低-一侧场效应晶体管在-阻抗 C R 是这内部的 ramp 电容值这 closest 标准 1% 电阻值是 226 kΩ. 这内部的 ramp 电压巨大能是计算使用 ( ) () vm51.0 kHz267pF5k833 v51.1250.10.2 1 = ×× ×−× = ×× ×−× = R SW RR VIDR R V fCR VDA V (21) 这大小的这内部的 ramp 能是制造大或者小. 如果它是制造大, 稳固和瞬时回馈改进, 但是热的 balance degrades. likewise, 如果这 ramp 是制造小, 热的 balance 改进在这 sacrifice 的瞬时回馈和稳固. 这因素的三在这 denominator 的等式 20 sets 一个 ramp 大小那给一个最优的 balance 为好的稳固, 瞬时回馈, 和热的 balance.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com