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资料编号:125054
 
资料名称:ADuC812BS
 
文件大小: 543.84K
   
说明
 
介绍:
MicroConverter⑩, Multichannel 12-Bit ADC with Embedded FLASH MCU
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 0
ADuC812
14
一个 块 图解 的 这 sfr 注册 接口 至 这 用户
flash/ee 记忆 排列 是 显示 在 图示 12.
9FH
字节 1 字节 2 字节 3 字节 4
00H
edata1 (字节 1)
edata2 (字节 2)
edata3 (字节 3)
edata4 (字节 4)
EADRL
econ command
interpreter 逻辑
ECON
字节 1 字节 2 字节 3 字节 4
函数:
holds command 文字
函数:
holds 这 8-位 页
地址 pointer
函数:
holds 这 4-字节
页 文字
函数:
interprets 这 flash
command 文字
图示 12. 用户 flash/ee 记忆 控制 和
配置
econ—flash/ee 记忆 控制 sfr
这个 sfr acts 作 一个 command interpreter 和 将 是 写
和 一个 的 five command 模式 至 使能 各种各样的 读, pro-
gram 和 擦掉 循环 作 详细地 在 表格 vi:
表格 vi. econ–flash/ee 记忆 控制 寄存器
command 模式
command 字节 command 模式
01H 读 command
结果 在 四 字节 正在 读 在
edata 1–4 从 记忆 页 location
包含 在 eadrl .
02H 写 command
结果 在 四 字节 (edata 1–4) 正在
写 至 记忆 页 location 在 eadrl.
这个 写 command 假设 这 de-
signated “write” 页 有 被 前-erased.
03H 保留 command
“do 不 use”
04H 核实 command
准许 这 用户 至 核实 如果 数据 在 edata
1–4 是 包含 在 页 location designated
用 eadrl. 一个 subsequent 读 的 这
econ sfr 将 结果 在 一个 “zero” 正在
读 如果 这 verification 是 有效的, 一个 nonzero
值 将 是 读 至 表明 一个 invalid
verification.
05H 擦掉 command
结果 在 一个 擦掉 的 这 4-字节 页
designated 在 eadrl.
06H 擦掉-所有 command
结果 在 擦掉 的 这 全部 用户 记忆
160-页 (640 字节) 排列.
07h 至 ffh 保留 commands
commands 保留 为 future 使用.
flash/ee 记忆 写 和 擦掉 时间
这 典型 程序/擦掉 时间 为 这 用户 flash/ee 记忆
是:
擦掉 全部 排列 (640 字节) 20 ms
擦掉 单独的 页 (4 字节) 20 ms
程序 页 (4 字节) 250
µ
s
读 页 (4 字节) 在里面 单独的 操作指南 循环
使用 这 flash/ee 记忆 接口
作 和 所有 flash/ee 记忆 architectures, 这 排列 能 是 pro-
grammed 在 系统 在 一个 字节 水平的, 虽然 它 必须 是 erased
第一; 这 erasure 正在 执行 在 页 blocks (4-字节 页
在 这个 情况).
一个 典型 进入 至 这 flash/ee 排列 将 包含 设置 向上 这
页 地址 至 是 accessed 在 这 eadrl sfr, configuring 这
edata1-4 和 数据 至 是 编写程序 至 这 排列 (这
edata sfrs 将 不 是 写 为 读 accesses) 和 最终
writing 这 econ command 文字 这个 initiates 一个 的 这
five 模式 显示 在 表格 vi.
它 应当 是 指出 那 一个 给 模式 的 运作 是 initiated 作
soon 作 这 command 文字 是 写 至 这 econ sfr. 在
这个 时间 这 核心 microcontroller 运作 在 这 aduc812
是 idled 直到 这 要求 程序/读 或者 擦掉 模式 是
完成.
在 实践, 这个 意思 那 甚至 though 这 flash/ee 记忆
模式 的 运作 是 典型地 initiated 和 一个 2 机器 循环
mov 操作指南 (至 写 至 这 econ sfr), 这 next
操作指南 will 不 是 executed直到 这 flash/ee 运作
是 竞赛lete (250
µ
s 或者 20 ms 后来的). 这个 意思 那 这 核心
将 不 respond 至 中断 requests 直到 这 flash/ee
运作 是 完全, 虽然 这 核心 附带的 功能
像 计数器/计时器 将 continue 至 计数 和 时间 作 配置
全部地 这个 pseudo-空闲 时期.
擦掉-所有
虽然 这 640-字节 用户 flash/ee 排列 是 运输 从 这
工厂 前-erased, i.e., 字节 locations 设置 至 ffh, 它 是 nonethe-
较少 好的 程序编制 实践 至 包含 一个 擦掉-所有 routine
作 部分 的 任何 配置/建制 代号 运动 在 这 aduc812.
一个 “erase-all” command 组成 的 writing “06h” 至 这
econ sfr, 这个 initiates 一个 擦掉 的 所有 640 字节 locations 在
这 flash/ee 排列. 这个 command coded 在 8051 组装
将 呈现 作:
mov econ, #06h
;
擦掉 所有 command
;
20 ms 持续时间
程序 一个 字节
在 一般 条款, 一个 字节 在 这 flash/ee 排列 能 仅有的 是
编写程序 如果 它 有 先前 被 erased. 至 是 更多 spe-
cific, 一个 字节 能 仅有的 是 编写程序 如果 它 already holds 这 值
ffh. 因为 的 这 flash/ee architecture 这个 erasure 必须
发生 在 一个 页 水平的, 因此 一个 最小 的 四 字节 (1 页)
将 是 erased 当 一个 擦掉 command 是 initiated.
一个 更多 明确的 例子 的 这 程序-字节 处理 是 显示
graphically 在 图示 13. 在 这个 例子 这 用户 将 写 f3h
在 这 第二 字节 在 页 03h 的 这 用户 flash/ee memory
空间.
不管怎样, 页 03h already 包含 四 字节 的 有效的 数据,
和 作 这 用户 是 仅有的 必需的 至 modify 一个 的 这些 字节, 这
全部 页 必须 是 第一 读 所以 那 这个 页 能 然后 是 erased
没有 这 存在 数据 正在 lost.
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