22 Am29F200B
直流 特性
ttl/nmos 兼容
注释:
1. 这 i
CC
电流 是 典型地 较少 比 2 毫安/mhz, 和 oe
#
在 v
IH
.
2. 最大 i
CC
规格 是 测试 和 v
CC
= v
CCmax
.
3. I
CC
起作用的 当 embedded 程序 或者 擦掉 algorithm 是 在 progress.
4. 不 100% 测试.
参数
标识 参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= v
SS
至 v
CC
, v
CC
= v
CC
最大值
±
1.0
µA
I
LIT
a9, oe
#
, 重置
#
输入 加载
电流
V
CC
= v
CC
最大值,
a9, oe
#
, 重置
#
= 12.5 v
50 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 V
输出
= v
SS
至 v
CC
, v
CC
= v
CC
最大值
±
1.0 µA
I
CC1
V
CC
起作用的 读 电流 (注释 1, 2) CE
#
= v
IL
, oe
#
= v
IH
字节 40
毫安
文字 50
I
CC2
V
CC
起作用的 程序/擦掉 电流
(注释 2, 3, 4)
CE
#
= v
IL
, oe
#
= v
IH
60 毫安
I
CC3
V
CC
备用物品 电流 (便条 2) V
CC
= v
CC
最大值, ce
#
= v
IH
, oe
#
= v
IH
1.0 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
CC
+ 0.5 V
V
ID
电压 为 autoselect 和 temporary
sector unprotect
V
CC
= 5.0 v 11.5 12.5 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 5.8 毫安, v
CC
= v
CC
最小值 0.45 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –2.5 毫安, v
CC
= v
CC
最小值 2.4 V
V
LKO
低 v
CC
锁-输出 电压 3.2 4.2 V