数据 薄板 m15902ej2v0ds
11
µ
PD23C256112一个
交流 特性 (t
一个
= 0 至 70°c, v
CC
= 3.3
±
±±
±
0.3 v)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
cle 建制 时间 t
CLS
0ns
cle 支撑 时间 t
CLH
10 ns
/ce 建制 时间 t
CS
0ns
/ce 支撑 时间 t
CH
10 ns
写 脉冲波 宽度 t
WP
25 ns
ale 建制 时间 t
ALS
0ns
ale 支撑 时间 t
ALH
10 ns
数据 建制 时间 t
DS
20 ns
数据 支撑 时间 t
DH
10 ns
写 循环 时间 t
WC
50 ns
/我们 高 支撑 时间 t
WH
15 ns
准备好 至 /re 下落 边缘 t
RR
20 ns
读 脉冲波 宽度 t
RP
35 ns
读 循环 时间 t
RC
50 ns
/re 进入 时间 (串行 数据 进入) t
REA
35 ns
/ce 高 支撑 时间 为 last 地址 在 串行 读 循环 t
CEH
100 ns
/re 进入 时间 (id 读 ) t
REAID
35 ns
/re 高 至 输出 高-z t
RHZ
10 30 ns
/ce 高 至 输出 高-z t
CHZ
20 ns
/re 高 支撑 时间 t
REH
15 ns
输出 高-z 至 /re 下落 边缘 t
IR
0ns
/re 进入 时间 (状态 读) t
RSTO
35 ns
/ce 进入 时间 (状态 读) t
CSTO
45 ns
/我们 高 至 /ce 低 t
WHC
30 ns
/我们 高 至 /re 低 t
WHR
30 ns
ale 低 至 /re 低 (id 读) t
AR1
100 ns
/ce 低 至 /re 低 (id 读) t
CR
100 ns
记忆 cell 排列 至 开始 地址 t
R
7
µ
s
/我们 高 至 busy t
WB
200 ns
ale 低 至 /re 低 (读 循环) t
AR2
50 ns
/re last 时钟 rising 边缘 至 busy (在 sequential 读) t
RB
200 ns
/ce 高 至 准备好 (当 interrupted 用 /ce 在 读 模式) t
CRY
便条
1
µ
s
设备 重置 时间 t
RST
6
µ
s
便条
t
CRY
(时间 从 /ce 高 至 准备好) 取决于 在 这 拉-向上 resister 的 这 r, /b 输出 pin.
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