10 Am42BDS640AG
十一月 1, 2002
初步的
订货 信息
这 顺序 号码 (有效的 结合体) 是 formed 用 这 下列的:
有效的 结合体
有效的 结合体 列表 configurations planned 至 是 supported 在 vol-
ume 为 这个 设备. 咨询 这 local amd 销售 办公室 至 confirm
有效性 的 明确的 有效的 结合体 和 至 审查 在 newly re-
leased 结合体.
Am42BDS640 一个 G T D 8 I T
录音带 和 卷轴
T = 7 英寸
S = 13 英寸
温度 范围
i = 工业的 (–40
°
c 至 +85
°
c)
V
IO
和 handshaking 特性
8 = 1.8 v v
IO
, 减少 wait-状态 handshaking
9 = 1.8 v v
IO
, 标准 handshaking
时钟 比率/异步的 速/sram 速
D = 54 mhz/70 ns/70 ns
C = 40 mhz/85 ns/85 ns
激励 sector
T = 顶 激励 sector
B = bottom 激励 sector
处理 技术
G = 0.17 µm
sram 设备 密度
一个= 16 mbits
amd 设备 号码/描述
Am42BDS640AG
stacked multi-碎片 包装 (mcp) flash 记忆 和 sram
am29bds640g 64 megabit (4 m x 16-位) cmos 1.8 volt-仅有的, 同时发生的 operation,
burst 模式 flash 记忆 和 16 mbit (1 m x 16-位) 静态的 内存
93-球 fine-程度 球 grid 排列 包装, 8.0 x 11.6 mm, 0.8 mm 球 程度 (fsc093)
有效的 结合体
顺序 号码 包装 标记
burst 频率
(mhz)
V
IO
范围
Am42BDS640AGTD8I
Am42BDS640AGBD8I
t,S
M42000004Y
M42000004Z
54
1.65 –
1.95 v
Am42BDS640AGTD9I
Am42BDS640AGBD9I
M420000050
M420000051
Am42BDS640AGTC8I
Am42BDS640AGBC8I
M420000052
M420000053
40
Am42BDS640AGTC9I
Am42BDS640AGBC9I
M420000054
M420000055
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