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资料编号:133006
 
资料名称:AM42BDS640AGTC8IT
 
文件大小: 1060.27K
   
说明
 
介绍:
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM
 
 


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十一月 1, 2002
Am42BDS640AG 17
初步的
表格 4. 系统 接口 string
表格 5. 设备 geometry 定义
19h
1Ah
0000h
0000h
地址 为 alternate oem 扩展 表格 (00h = 毫无 exists)
地址 数据 描述
1Bh 0017h
V
CC
最小值 (写/擦掉)
d7–d4: volt, d3–d0: 100 millivolt
1Ch 0019h
V
CC
最大值 (写/擦掉)
d7–d4: volt, d3–d0: 100 millivolt
1Dh 0000h V
PP
最小值 电压 (00h = 非 v
PP
管脚 呈现)
1Eh 0000h V
PP
最大值 电压 (00h = 非 v
PP
管脚 呈现)
1Fh 0004h 典型 timeout 每 单独的 字节/文字 写 2
N
µs
20h 0000h 典型 timeout 为 最小值 大小 缓存区 写 2
N
µ
s (00h = 不 supported)
21h 0009h 典型 timeout 每 单独的 块 擦掉 2
N
ms
22h 0000h 典型 timeout 为 全部 碎片 擦掉 2
N
ms (00h = 不 supported)
23h 0004h 最大值 timeout 为 字节/文字 写 2
N
时间 典型
24h 0000h 最大值 timeout 为 缓存区 写 2
N
时间 典型
25h 0004h 最大值 timeout 每 单独的 块 擦掉 2
N
时间 典型
26h 0000h 最大值 timeout 为 全部 碎片 擦掉 2
N
时间 典型 (00h = 不 supported)
地址 数据 描述
27h 0017h 设备 大小 = 2
N
字节
28h
29h
0001h
0000h
flash 设备 接口 描述 (谈及 至 cfi 发行 100)
2Ah
2Bh
0000h
0000h
最大值 号码 的 字节 在 multi-字节 写 = 2
N
(00h = 不 supported)
2Ch 0003h 号码 的 擦掉 块 regions 在里面 设备
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0003h
0000h
0040h
0000h
擦掉 块 区域 1 信息
(谈及 至 这 cfi 规格 或者 cfi 发行 100)
31h
32h
33h
34h
007Dh
0000h
0000h
0001h
擦掉 块 区域 2 信息
35h
36h
37h
38h
0003h
0000h
0040h
0000h
擦掉 块 区域 3 信息
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
0000h
0000h
0000h
擦掉 块 区域 4 信息
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