8 Am42BDS640AG
十一月 1, 2002
初步的
连接 图解
便条:
V
IO
f 必须 是 系 至 v
CC
f.
特定的 包装 处理 说明
特定的 处理 是 必需的 为 flash 记忆 prod-
ucts 在 模塑的 包装 (tsop, bga, plcc, pdip,
ssop). 这 包装 和/或者 数据 integrity 将 是
compromised 如果 这 包装age 身体 是 exposed 至 tem-
peratures 在之上 150
°
c 为 prolonged 时期 的 时间.
NC
F1
G1
E2
F2
G2
H2
J2
L2
D3
E3
F3
G3
H3
J3
L3
D4
E4
F4
G4
H4
J4
L4
B5
D5
E5
H5
J5
L5
B6
D6
E6
H6
J6
L6
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F7
G7
H7
J7
L7
D8
E8
F8
G8
H8
J8
L8
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F9
G9
H9
J9
L9
F10
L10
G10
NC
NC
L1
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NC
NC
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A1
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NC
A6
A5
B2
D2
B3
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A3
NC
A4
V
SS
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B4
CLK
A18
A17
DQ1
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NC
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RDY
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NC
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A20
F5
G5
F6
G6
NC
NC
NC
NC
NC
A19
B7
NC
A9
A10
DQ6
DQ5
A12
A13
A14
NC
DQ14
A21
NC
B8 B9
D9
NC NC
A15
A16
CE#f OE# DQ9 DQ3 DQ4 DQ13 DQ15 NC
NC
NC NC V
SS
V
IO
fNC NC NC
CE#1s DQ0 DQ10 V
CC
fV
CC
s DQ12 DQ7 V
SS
K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9
NC
NC
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NC
NC
A10
B10
A1
B1
NC
NC
C3 C4
C5
C6 C7 C8
A7
C2
WP#
LB# ACC WE# A8 A11 NC
C9
C1
NC
NC
NC
sram 仅有的
Shared
flash 仅有的
D7
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