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资料编号:133032
 
资料名称:AM41DL6408H8H71IS
 
文件大小: 1123.96K
   
说明
 
介绍:
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
14 Am41DL6408H
十一月 24, 2003
进步 信息
这 内部的 状态 机器 是 设置 为 读 排列 数据
在之上 设备 电源-向上, 或者 之后 一个 硬件 重置. 这个
确保 那 非 spurious 改变 的 这 记忆
内容 occurs 在 这 电源 转变. 非 com-
mand 是 需要 在 这个 模式 至 获得 排列 数据.
标准 微处理器 读 循环 那 assert 有效的
地址 在 这 设备 地址 输入 生产 有效的
数据 在 这 设备 数据 输出. 各自 bank 仍然是
使能 为 读 进入 直到 这 command 寄存器
内容 是 改变.
谈及 至 这 交流 flash 读-仅有的 行动 表格 为
定时 规格 和 至 图示 15 为 这 定时 di-
agram. i
CC1
在 这 直流 特性 表格 代表
这 起作用的 电流 规格 为 读 排列 数据.
writing commands/command sequences
至 写 一个 command 或者 command sequence (这个 在-
cludes 程序编制 数据 至 这 设备 和 erasing
sectors 的 记忆), 这 系统 必须 驱动 we# 和
ce#f 至 v
IL
, 和 oe# 至 v
IH
.
为 程序 行动, 这 ciof 管脚 确定
whether 这 设备 accepts 程序 数据 在 字节 或者
words. 谈及 至 “word/字节 configuration” 为 更多 在-
组成.
这 设备 特性 一个
unlock 绕过
模式 至 facili-
tate faster 程序编制. once 一个 bank enters 这 un-
锁 绕过 模式, 仅有的 二 写 循环 是 必需的
至 程序 一个 文字 或者 字节, instead 的 四. 这
“byte/文字 程序 command sequence” 部分
有 详细信息 在 程序编制 数据 至 这 设备 使用
两个都 标准 和 unlock 绕过 command se-
quences.
一个 擦掉 运作 能 擦掉 一个 sector, 多样的 秒-
tors, 或者 这 全部 设备. 表格 5 indicates 这 地址
空间 那 各自 sector occupies. similarly, 一个 “sector
address” 是 这 地址 位 必需的 至 uniquely 选择
一个 sector. 这 “command definitions” 部分 有 de-
tails 在 erasing 一个 sector 或者 这 全部 碎片, 或者 suspend-
ing/resuming 这 擦掉 运作.
这 设备 地址 空间 是 分隔 在 四 banks. 一个
“bank address” 是 这 地址 位 必需的 至 uniquely
选择 一个 bank.
I
CC2
在 这 直流 特性 表格 代表 这 交流-
tive 电流 规格 为 这 写 模式. 这 交流
特性 部分 包含 定时 规格
tables 和 定时 图解 为 写 行动.
accelerated 程序 运作
这 设备 提供 accelerated 程序 行动
通过 这 acc 函数. 这个 是 一个 的 二 功能
提供 用 这 wp#/acc 管脚. 这个 函数 是 prima-
rily 将 至 准许 faster 制造 throughput
在 这 工厂.
如果 这 系统 asserts v
HH
在 这个 管脚, 这 设备 自动-
matically enters 这 aforementioned unlock 绕过
模式, temporarily unprotects 任何 保护 sectors,
和 使用 这 高等级的 电压 在 这 管脚 至 减少 这
时间 必需的 为 程序 行动. 这 系统
将 使用 一个 二-循环 程序 command sequence
作 必需的 用 这 unlock 绕过 模式. removing
V
HH
从 这 wp#/acc 管脚 returns 这 设备 至 也不-
mal 运作.
便条 那 v
HH
必须 不 是 asserted 在
wp#/acc 为 行动 其它 比 accelerated pro-
gramming, 或者 设备 损坏 将 结果. 在 增加,
这 wp#/acc 管脚 必须 不 是 left floating 或者 uncon-
nected; inconsistent 行为 的 这 设备 将 结果
.
看 “write 保护 (wp#)” 在 页 19 为 related infor-
mation.
autoselect 功能
如果 这 系统 写 这 autoselect command se-
quence, 这 设备 enters 这 autoselect 模式. 这
系统 能 然后 读 autoselect 代号 从 这 inter-
nal 寄存器 (这个 是 独立的 从 这 记忆 排列)
在 dq15–dq0. 标准 读 循环 timings 应用 在
这个 模式. 谈及 至 这 sector/sector 块 保护
和 unprotection 和 autoselect command se-
quence sections 为 更多 信息.
同时发生的 读/写 行动 和
零 latency
这个 设备 是 有能力 的 读 数据 从 一个 bank
的 记忆 当 程序编制 或者 erasing 在 这 其它
bank 的 记忆. 一个 擦掉 运作 将 也 是 sus-
pended 至 读 从 或者 程序 至 另一 location
在里面 这 一样 bank (除了 这 sector 正在
erased). 图示 22 显示 如何 读 和 写 循环
将 是 initiated 为 同时发生的 运作 和 零
latency. i
CC6
f 和 i
CC7
f 在 这 表格 代表 这 cur-
rent 规格 为 读-当-程序 和
读-当-擦掉, 各自.
备用物品 模式
当 这 系统 是 不 读 或者 writing 至 这 de-
恶行, 它 能 放置 这 设备 在 这 备用物品 模式. 在
这个 模式, 电流 消耗量 是 非常 减少,
和 这 输出 是 放置 在 这 高 阻抗
状态, 独立 的 这 oe# 输入.
这 设备 enters 这 cmos 备用物品 模式 当 这
ce#f 和 reset# 管脚 是 两个都 使保持 在 v
CC
± 0.3 v.
(便条 那 这个 是 一个 更多 restricted 电压 范围 比
V
IH
.) 如果 ce#f 和 reset# 是 使保持 在 v
IH
, 但是 不
在里面 v
CC
± 0.3 v, 这 设备 将 是 在 这 备用物品
模式, 但是 这 备用物品 电流 将 是 更好. 这 de-
恶行 需要 标准 进入 时间 (t
CE
) 为 读 交流-
cess 当 这 设备 是 在 也 的 这些 备用物品
模式, 在之前 它 是 准备好 至 读 数据.
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