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资料编号:133041
 
资料名称:AM42BDS640AGBD8IS
 
文件大小: 1060.27K
   
说明
 
介绍:
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM
 
 


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十一月 1, 2002
Am42BDS640AG 9
初步的
管脚 描述
A19–A0 = 20 地址 输入 (一般)
A21–A20 = 2 地址 输入 (flash)
DQ15–DQ0 = 16 数据 输入/输出 (一般)
CE#f = 碎片 使能 (flash)
CE1#s = 碎片 使能 1 (sram)
CE2s = 碎片 使能 2 (sram)
OE# = 输出 使能 (一般)
WE# = 写 使能 (一般)
UB#s = upper 字节 控制 (sram)
LB#s = 更小的 字节 控制 (sram)
RESET# = 硬件 重置 管脚, 起作用的 低
V
CC
f = flash 1.8 volt-仅有的 单独的 电源
供应 (看 产品 选择 手册
为 速 选项 和 电压 sup-
ply 容忍)
V
IO
f = 输入 &放大; 输出 缓存区 电源 供应
必须 是 系 至 v
CC
f.
V
CC
s = sram 电源 供应
V
SS
= 设备 地面 (一般)
NC = 管脚 不 连接 内部
RDY = 准备好 输出; indicates 这 状态 的
这 burst 读. 低 = 数据 不 有效的
在 预期的 时间. 高 = 数据 有效的.
CLK = clk 是 不 必需的 在 异步的
模式. 在 burst 模式, 之后 这 最初的
文字 是 输出, subsequent 起作用的
edges 的 clk increment 这 内部的
地址 计数器.
AVD# = 地址 有效的 输入. indicates 至 de-
恶行 那 这 有效的 地址 是 呈现
在 这 地址 输入 (a21–a0).
低 = 为 异步的 模式, indi-
cates 有效的 地址; 为 burst 模式,
导致 开始 地址 至 是
latched.
高 = 设备 ignores 地址 在-
puts
WP# = 硬件 写 保护 输入. 在 v
IL
,
使不能运转 程序 和 擦掉 func-
tions 在 这 二 outermost sectors.
应当 是 在 v
IH
为 所有 其它 condi-
tions.
ACC = 在 v
ID
, accelerates 程序编制;
automatically places 设备 在 un-
锁 绕过 模式. 在 v
IL
, locks 所有
sectors. 应当 是 在 v
IH
为 所有 其它
情况.
逻辑 标识
20
16
DQ15–DQ0
A19–A0
CE#f
OE#
WE#
RESET#
UB#s
RDY
WP#
A21–A20
LB#s
ACC
CE1#s
CE2s
AVD#
CLK
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