电压 regulators AN8049SH
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■
应用 注释
[1] ssop024-p-0300a 包装 电源 消耗
P
D
T
一个
■
用法 注释 (持续)
[3] 注释 在 mos 驱动
自从 这 an8049sh 频道 1 和 2 输出 电路 是 设计 至 驱动 双极 晶体管, 这 下列的 点
需要 小心 如果 这个 设备 是 使用 至 驱动 n-频道 mos 晶体管 直接地.
1. 使用 一个 n-频道 mos 晶体管 和 一个 低 输入 ca-
pacitance.
这 an8049sh 是 设计 至 驱动 双极 transis-
tors, 和 adopts 一个 电路 结构 那 能 提供 一个 con-
stant-电流 (50 毫安 最大) 输出 源 电流.
此外, 它 有 一个 下沉 电流 capacity 的 80 毫安 maxi-
mum. 这个 意思 那 设计 必须 是 影响 关于
增加 丧失 预定的 至 变长 上升- 和 下降-时间. 如果 一个 prob-
lem occurs, 一个 反相器 将 是 inserted 作 显示 在 图示
1 至 提供 放大器.
2. 使用 一个 n-频道 mos 晶体管 和 一个 低 门-thresh-
old 电压.
自从 这 an8049sh out1 和 out2 管脚 高-水平的
输出 电压 是 v
CC
−
1.0 v (最小), 低 v
T
MOS
晶体管 和 一个 adequately 低 在-阻抗 必须 是
使用. 也, 如果 一个 大 v
GS
是 必需的, 一个 解决方案 是 至 使用
一个 变压器 作 显示 在 图示 2, 和 应用 一个 电压 那
是 两次 这 输入 电压 至 这 ic's v
CC
管脚.
V
在
V
输出
out1/2
图示 1. 输出 boosting 电路
图示 2. 门 驱动 电压 boosting
技巧
V
在
V
CC
V
输出
out1/2
V
CC
≈
2
×
V
在
−
VD
电源 消耗 p
D
(mw)
包围的 温度 t
一个
(
°
c)
0
0 25 50 75 85 100 125
700
600
658
500
400
300
366
200
263
100
146
glass 环氧的 打印 电路 板
(75
× 75 ×
t
1.6
mm
3
)
R
th(j
−
一个)
=
152
°
c/w
P
D
=
658 mw(25
°
c)
独立 ic
没有 一个 热温 下沉
R
th(j
−
一个)
=
273
°
c/w
P
D
=
366 mw(25
°
c)
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