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资料编号:138343
 
资料名称:APM4410KC-TU
 
文件大小: 514.2K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.5 - july., 2002
APM4410
www.anpec.com.tw
2
热的 特性
标识
参数 比率 单位
T
J
最大 接合面 温度 150
T
STG
存储 温度 范围 -55 至 150
°C
R
θ
JA
热的 阻抗 - 接合面 至 包围的 50 °c/w
电的 特性
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
APM4410
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值
一个
.
最大值
单位
静态的
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v, i
D
=250
µ
一个
30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=24v, v
GS
=0V 1 uA
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
D
=250
µ
一个
13V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=±20v, v
DS
=0V ±100 nA
V
GS
=10v, i
D
=11.5a 9 11
R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗
b
V
GS
=4.5v, i
D
=5A
14.5 16
m
V
SD
二极管 向前 电压
b
I
SD
=2.3a, v
GS
=0V 0.6 1.2 V
动态
一个
Q
g
总的 门 承担 45 60
Q
gs
门-源 承担 10
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=10v,
I
D
=10A
8
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 16 25
t
r
转变-在 上升 时间 24 35
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 78 110
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=15v, r
L
=15
,
I
D
=1a , v
GEN
=10v,
R
G
=6
,
42 80
ns
C
iss
输入 电容 2000
C
oss
输出 电容 400
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0v, v
DS
=25V
频率 = 1.0mhz
220
pF
注释
一个
: 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试
b
: 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%
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