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资料编号:138396
 
资料名称:APM2506NUC-TRL
 
文件大小: 183.15K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
©
anpec electronics corp.
rev. b.1 - oct., 2003
3
www.anpec.com.tw
APM2506NU
电的 特性
(t
一个
=25°c)
APM2506NU
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
流-源 avalanche 比率
E
流-源 avalanche 活力 I
D
=45a, v
DD
=15v 100 mj
静态的
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
25 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=20v, v
GS
=0v 1
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
1 1.5 2 V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=±20v, v
DS
=0v ±100 na
V
GS
=10v, i
DS
=40a 5 6
R
ds(在)
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v, i
DS
=20a 7 10
m
二极管
V
SD
一个
二极管 向前 电压 I
SD
=20a , v
GS
=0v 0.7 1.3 v
I
S
二极管 持续的 向前 电流 T
一个
=25°c 40 一个
动态
b
C
iss
输入 电容 3000 pF
C
oss
输出 电容 670 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0V
V
DS
=15V
频率=1.0mhz
360 pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 13 20 ns
T
r
转变-在 上升 时间 9 15 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 43 66 ns
T
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=15v, r
L
=15
I
DS
=1a, v
GEN
=10v,
R
G
=6
14 28 ns
门 承担
b
Q
g
总的 门 承担 32 42 nC
Q
gs
门-源 承担 6.6 nC
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=4.5v,
I
DS
=20A
12.4 nC
注释
一个 : 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%
b : 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试
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