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资料编号:138425
 
资料名称:APM2030NUC-TR
 
文件大小: 140.03K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - 8月., 2002
www.anpec.com.tw
3
APM2030N
012345678910
0.0250
0.0275
0.0300
0.0325
0.0350
0.0375
0.0400
0.0425
0.0450
0.0475
0.0500
012345
0
5
10
15
20
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
典型 特性
2V
I
d-
流 电流 (一个)
转移 特性
T
J
=-55°c
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
门槛 电压 vs. 接合面 温度
tj - 接合面 温度 (°c)
V
gs(th)-
门槛 电压 (v)
(normalized)
I
DS
=250uA
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 (一个)
V
GS
=4.5v
输出 特性
I
D
-流 电流 (一个)
V
GS
=2.5,3,4,5,6,7,8,9,10v
1.5v
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
V
GS
=2.5v
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