双 增强 模式 场效应晶体管 (n-和 p-频道)
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.2 - 将., 2003
www.anpec.com.tw
1
anpec reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 改进 可靠性 或者 manufacturability 没有 注意, 和 advise
客户 至 获得 这 最新的 版本 的 相关的 信息 至 核实 在之前 放置 顺序.
APM4500
•
n-频道
20v/8a , r
ds(在)
=22m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=4.5v
R
ds(在)
=30m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=2.5v
•
p-频道
-20v/-4.3a , r
ds(在)
=80m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=-4.5v
R
ds(在)
=105m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=-2.5v
••
••
•
超级的 高 dense cell 设计 为 极其 低
R
ds(在)
••
••
•
可依靠的 和 坚毅的
••
••
•
所以-8 包装
管脚 描述
订货 和 标记 信息
特性
产品
•
电源 管理 在 notebook 计算机 ,
可携带的 设备 和 电池 powered
系统.
所以-8
1
2
3
45
6
7
8S1
G1
S2
G2 D2
D2
D1
D1
G1
S1
D1 D1
APM4500
处理 代号
温度 范围
包装 代号
包装 代号
k : 所以-8
运作 接合面 温度 范围
c : -55 至 150 c
处理 代号
tr : 录音带 &放大; 卷轴
°
apm4500 k :
APM4500
XXXXX
xxxxx - 日期 代号
n-频道 场效应晶体管 p-频道 场效应晶体管
G2
S2
D2 D2