AT-32063-TR1_集成电路资料查询网

绝对 最大 比率
[1]
热的 阻抗
[2]
:
θ
jc
= 370
°
c/w
电的 规格,
T
一个
= 25
°
C
标识
参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
µ
µ
绝对
标识 参数 单位 最大
V
EBO
发射级-根基 电压 V 1.5
V
CBO
集电级-根基 电压 V 11
V
CEO
集电级-发射级 电压 V 5.5
I
C
集电级 电流 毫安 32
P
T
电源 消耗
[2,3,4]
mW 150
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
w = 20
l = 60
w = 10
l = 450
w = 10
l = 100
测试 电路
板 材料 = 0.047 getek  (
ε
= 4.3)
维度 在 毫英寸
不 至 规模
50
Ω
50
Ω
图示 1. 测试 电路 为 噪音 图示 和 有关联的 增益.
2001.04.25, 7:56 pmpage 2

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绝对最大比率 [1] 热的阻抗 [2] : θ jc = 370 ° c/w 电的规格, T 一个 = 25 ° C 标识参数和测试情况单位最小值典型值最大值 µ µ 绝对标识参数单位最大 V EBO 发射级-根基电压 V 1.5 V CBO 集电级-根基电压 V 11 V CEO 集电级-发射级电压 V 5.5 I C 集电级电流毫安 32 P T 电源消耗 [2,3,4] mW 150 T j 接合面温度 ° C 150 T STG 存储温度 ° C -65 至 150 w = 20 l = 60 w = 10 l = 450 w = 10 l = 100 测试电路板材料 = 0.047 getek ( ε = 4.3) 维度在毫英寸不至规模 50 Ω 50 Ω 图示 1. 测试电路为噪音图示和有关联的增益. 2001.04.25, 7:56 pmpage 2

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