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资料编号:142283
 
资料名称:AT-32063-TR1
 
文件大小: 86.42K
   
说明
 
介绍:
Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
 
 


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在-32063 典型 噪音 参数
一般 发射级, z
o
= 50
, v
CE
= 2.7 v, i
C
= 2 毫安
freq. F
最小值
G
一个
Γ
opt
GHz dB dB mag. ang. R
n
/50
在-32063 典型 噪音 参数
一般 发射级, z
o
= 50
, v
CE
= 1 v, i
C
= 1 毫安
freq. F
最小值
G
一个
Γ
opt
GHz dB dB mag. ang. R
n
/50
-5
0
S21
5
10
15
25
20
0.1 1.1 2.1 3.1 4.1 5.1
增益
(db)
频率 (ghz)
图示 7. 增益 vs. 频率 在 1 v,
1 毫安.
MSG
MSG
MAG
0
5
S21
10
15
20
30
25
0.1 1.1 2.1 3.1 4.1 5.1
增益
(db)
频率 (ghz)
图示 8. 增益 vs. 频率 在 2.7 v,
2 毫安.
MSG
MSG
MAG
在-32063 典型 scattering 参数,
一般 发射级, z
O
= 50
, v
CE
= 2.7 v, i
C
= 2 毫安
freq. S
11
S
21
S
12
S
22
GHz Mag Ang dB Mag Ang dB Mag Ang Mag Ang
在-32063 典型 scattering 参数,
一般 发射级, z
O
= 50
, v
CE
= 1 v, i
C
= 1 毫安
freq. S
11
S
21
S
12
S
22
GHz Mag Ang dB Mag Ang dB Mag Ang Mag Ang
2001.04.25, 7:56 pmpage 4
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