12
AT45BR3214B
3356b–dflash–10/04
便条: 在 tables 2 和 3, 一个 sck 模式 designation 的 “any” denotes 一个y 一个 的 这 四 模式 的 运作 (inactive 时钟 polarity
低, inactive 时钟 极性 高, spi 模式 0, 或者 spi 模式 3).
表格 2.
程序 和 擦掉 commands
Command sck 模式 Opcode
缓存区 1 写 任何 84H
缓存区 2 写 任何 87H
缓存区 1 至 主要的 记忆 页 程序 和 建造-在 擦掉 任何 83H
缓存区 2 至 主要的 记忆 页 程序 和 建造-在 擦掉 任何 86H
缓存区 1 至 主要的 记忆 页 程序 没有 建造-在 擦掉 任何 88H
缓存区 2 至 主要的 记忆 页 程序 没有 建造-在 擦掉 任何 89H
页 擦掉 任何 81H
块 擦掉 任何 50H
主要的 记忆 页 程序 通过 缓存区 1 任何 82H
主要的 记忆 页 程序 通过 缓存区 2 任何 85H
表格 3.
额外的 commands
Command sck 模式 Opcode
主要的 记忆 页 至 缓存区 1 转移 任何 53H
主要的 记忆 页 至 缓存区 2 转移 任何 55H
主要的 记忆 页 至 缓存区 1 对比 任何 60H
主要的 记忆 页 至 缓存区 2 对比 任何 61H
自动 页 rewrite 通过 缓存区 1 任何 58H
自动 页 rewrite 通过 缓存区 2 任何 59H
: 点此下载
