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AT45BR3214B
3356b–dflash–10/04
便条: 1. 之后 电源 是 应用 和 v
CC
是 在 这 最小 指定 datasheet 值, 这 系统 应当wait 20 ms 在之前 一个 opera-
tional 模式 是 started.
便条: 1. I
cc1
在 一个 缓存区 读 是 20ma 最大.
绝对 最大 ratings*
温度 下面 偏差 ................................ -55
°
c 至 +125
°
C
*notice: 压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute
最大 ratings” 将 导致 永久的 dam-
age 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之外 那些 表明 在 这
运算的 sections 的 这个 规格 是 不
暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备
可靠性.
存储 温度 ..................................... -65
°
c 至 +150
°
C
所有 输入 电压
(包含 nc 管脚)
和 遵守 至 地面 ...................................-0.6v 至 +6.25v
所有 输出 电压
和 遵守 至 地面 .............................-0.6v 至 v
CC
+ 0.6v
直流 和 交流 运行 范围
32-mbit dataflash
运行 温度 (情况)
com. 0
°
c 至 70
°
C
ind. -40
°
c 至 85
°
C
V
CC
电源 供应
(1)
2.7v 至 3.3v
直流 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SB
备用物品 电流 CS, 重置, wp= v
CC
, 所有 输入
在 cmos 水平
210µA
I
CC1
(1)
起作用的 电流, 读
运作
f = 20 mhz; i
输出
= 0 毫安;
V
CC
= 3.3v
410mA
I
CC2
起作用的 电流,
程序/擦掉 运作
V
CC
= 3.3v 15 35 毫安
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= cmos 水平 1 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 V
i/o
= cmos 水平 1 µA
V
IL
输入 低 电压 0.6 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 1.6 毫安; v
CC
= 2.7v 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= -100 µa V
CC
- 0.2v V
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