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AT45BR3214B
3356b–dflash–10/04
图示 2.
algorithm 为 randomly modifying 数据
注释: 1. 至 preserve 数据 integrity, 各自 页 的 一个 dataflash sector 必须 是 updated/rewritten 在 least once 在里面 每 10,000
cumulative 页 擦掉/程序 行动.
2. 一个 页 地址 pointer 必须 是 maintained 至 表明 这个 页 是 至 是 rewritten. 这 自动 页 rewrite command
必须 使用 这 地址 指定 用 这 页 地址 pointer.
3. 其它 algorithms 能 是 使用 至 rewrite portions 的 这 flash排列. 低-电源 产品 将 choose 至 wait 直到 10,000
cumulative 页 擦掉/程序 行动 有 accumulated在之前 rewriting 所有 页 的 这 sector. 看 应用 便条
一个-4 (“using atmel’s 串行dataflash”) 为 更多 详细信息.
sector 寻址
PA12 PA11 PA10 PA9 PA8 PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 Sector
0 0 0 0000000 0
0 0 0 0XXXXXX 1
0 0 0 1XXXXXX 2
0 0 1 0XXXXXX 3
• • • ••••••• •
• • • ••••••• •
• • • ••••••• •
1 1 0 0XXXXXX 13
1 1 0 1XXXXXX 14
1 1 1 0XXXXXX 15
1 1 1 1XXXXXX 16
开始
主要的 记忆 页
至 缓存区 转移
(53h, 55h)
increment 页
地址 pointer
(2)
自动 页 rewrite
(2)
(58h, 59h)
终止
提供 地址 的
页 至 modify
如果 planning 至 modify 多样的
字节 目前 贮存 在里面
一个 页 的 这 flash 排列
主要的 记忆 页 程序
通过 缓存区
(82h, 85h)
缓存区 写
(84h, 87h)
缓存区 至 主要的
记忆 页 程序
(83h, 86h)
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