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资料编号:143073
 
资料名称:AT45BR3214B
 
文件大小: 488.59K
   
说明
 
介绍:
32-MEGABIT DATAFLASH + 4-MEGABIT SRAM STACK MEMORY
 
 


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AT45BR3214B
3356b–dflash–10/04
便条: 1. 这些 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
直流 电的 特性
T
一个
= -40
°
c 至 85
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流 V
SS
< v
< v
CC
-1 1 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 V
SS
< v
输出
< v
CC
,
SCS1
= v
IH
或者 scs2=v
IL
或者
SOE= v
IH
或者 swe= vil 或者
SUB= v
IH
, slb= v
IH
-1 1 µA
I
CC
运行 电源 供应 电流 SCS1= v
IL
, scs2=v
IH
,
V
= v
IH
或者 v
IL
, i
i/o
= 0 毫安
3mA
I
CC1
平均 运行 电流 SCS1= v
IL
, scs2 = v
IH
,
V
= v
IH
或者 v
IL
, 循环 时间 = 最小值
100% 职责, i
i/o
= 0 毫安
15 毫安
SCS1
< 0.2v, scs2 > v
CC
- 0.2v
V
< 0.2v 或者 v
> v
CC
- 0.2v,
循环 时间 = 1 µs
100% 职责, i
i/o
= 0 毫安
2mA
I
SB
备用物品 电流 (ttl 输入) SCS1= v
IH
或者 scs2 = v
IL
或者
SUB, slb= v
IH
V
= v
IH
或者 v
IL
300 µA
I
SB1
备用物品 电流 (cmos 输入) SCS1> v
CC
- 0.2v 或者
scs2 < v
SS
+ 0.2v 或者
SUB
, slb> v
CC
- 0.2v
V
> v
CC
- 0.2v 或者
V
< v
SS
+ 0.2v
10 µA
V
OL
输出 低 I
OL
= 2.1 毫安 0.4 V
V
OH
输出 高 I
OH
= -1.0 毫安 2.4 V
电容
(1)
(温度 = 25
°
c, f = 1.0 mhz)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
输入 电容 (增加, scs1,
scs2, slb, sub, swe, soe)
V
= 0 v 8 pF
C
输出
输出 电容 (i/o) V
i/o
= 0 v 10 pF
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