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资料编号:143073
 
资料名称:AT45BR3214B
 
文件大小: 488.59K
   
说明
 
介绍:
32-MEGABIT DATAFLASH + 4-MEGABIT SRAM STACK MEMORY
 
 


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AT45BR3214B
3356b–dflash–10/04
交流 特性
T
一个
= -40
°
c 至 85
°
c, 除非 否则 指定
# 标识 参数
70 ns
单位最小值 最大值
1t
RC
读 循环 时间 70 ns
2t
AA
地址 进入 时间 70 ns
3t
ACS
碎片 选择 进入 时间 70 ns
4t
OE
输出 使能 至 输出 有效的 35 ns
5t
BA
SLB, sub进入 时间 70 ns
6t
CLZ
碎片 选择 至 output 在 低 z 10 ns
7t
OLZ
输出 使能 至 输出 在 低 z 5 ns
8t
BLZ
SLB, sub使能 至 输出 在 低 z 10 ns
9t
CHZ
碎片 deselection 至 输出 在 高 z 0 25 ns
10 t
OHZ
输出 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 25 ns
11 t
BHZ
SLB, sub使不能运转 至 输出 在 高 z 0 25 ns
12 t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 10 ns
13 t
WC
写 循环 时间 30 ns
14 t
CW
碎片 选择 至 终止 的 写 30 ns
15 t
AW
地址 有效的 至 终止 的 写 30 ns
16 t
BW
SLB, sub有效的 至 终止 的 写 30 ns
17 t
地址 建制 时间 0 ns
18 t
WP
写 脉冲波 宽度 30 ns
19 t
WR
写 恢复 时间 0 ns
20 t
WHZ
写 至 输出 在 高 z 0 5 ns
21 t
DW
数据 至 写 时间 overlap 25 ns
22 t
DH
数据 支撑 从 写 时间 0 ns
23 t
OW
输出 起作用的 从 终止 的 写 5 ns
交流 测试 情况
TA=- 4 0
°
c 至 85
°
c, 除非 否则 指定
参数
输入 脉冲波 水平的 0.4v 至 2.2v
输入 上升 和 下降 时间 5 ns
输入 和 输出 定时 涉及 水平的 1.5v
输出 加载 t
CLZ
, t
OLZ
,
t
BLZ
,
t
CHZ
,
t
OHZ
,
t
BHZ
,
t
WHZ
,
t
OW
cl = 5 pf + 1 ttl 加载
其他 cl = 30 pf + 1 ttl 加载
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