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资料编号:143073
 
资料名称:AT45BR3214B
 
文件大小: 488.59K
   
说明
 
介绍:
32-MEGABIT DATAFLASH + 4-MEGABIT SRAM STACK MEMORY
 
 


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AT45BR3214B
3356b–dflash–10/04
注释: 1. 典型 值 是 下面 这 情况 的 t
一个
= 25
°
c. 典型 值 是 抽样 和 不 100% 测试.
2. t
RC
是 读 循环 时间.
数据 保持 定时 图解 1
数据 保持 定时 图解 2
数据 保持 electric 典型的
T
一个
= -40
°
c 至 85
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 SCS1> v
CC
- 0.2v 或者
scs2 < v
SS
+ 0.2v 或者
SUB
, slb> v
CC
- 0.2v
V
> v
CC
- 0.2v 或者
V
< v
SS
+ 0.2v
1.2 3.3 V
I
CCDR
数据 保持 电流 vcc=1.5v,
SCS1> v
CC
- 0.2v 或者
scs2 < v
SS
+ 0.2v 或者
SUB
, slb> v
CC
- 0.2v
V
> v
CC
- 0.2v 或者
V
< v
SS
+ 0.2v
0.2 6 µA
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
看 数据 保持 定时 图解 0 ns
t
R
运行 恢复 时间 t
RC
ns
数据 保持 模式
t
R
t
CDR
VCC
scs1 > vcc - 0.2v
2.7v
IH
VDR
SCS1
VSS
VCC
2.7v
VDR
SCS2
VSS
0.4v
数据 保持 模式
t
R
t
CDR
scs2 < 0.2v
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